[发明专利]稀土磁体及制备方法有效
申请号: | 201880005046.9 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN110088853B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 陈国安;王浩颉;方彬;杜飞;王湛;赵玉刚 | 申请(专利权)人: | 三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F7/02;H01F41/02;H02K1/02;H02K1/06 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;冷文燕 |
地址: | 102200*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 磁体 制备 方法 | ||
1.一种稀土磁体,为钕铁硼磁体,其包括主相和晶界相,其特征在于,所述稀土磁体的晶界相中,白色晶界相面积占显微组织观测区域总面积的百分比为1~3%,灰色晶界相面积占显微组织观测区域总面积的百分比为2~10%;所述稀土磁体的组分按质量百分比为:
R含量为28~32wt%,R为不包含Dy和Tb的稀土元素,Pr和/或Nd在R中的占比为98~100wt%;
Dy和/或Tb含量为0~2wt%;
M含量为0.1~1.4wt%,M为Al、Cu、Nb、Zr、Sn中的至少一种;
Ga含量为0.3~0.8wt%;
B含量为0.96~1.0wt%;
其余为T,T为Fe和Co及不可避免的杂质元素,或者为Fe及不可避免的杂质元素;
其中,所述白色晶界相为R1~T~M相,R1为稀土元素,R1的原子百分比大于30at%,R1必须包含Nd和/或Pr,所述灰色晶界相是Nd6Fe13Ga相。
2.根据权利要求1所述稀土磁体,其特征在于,所述Ga含量为0.5~0.8wt%。
3.根据权利要求1所述稀土磁体,其特征在于,M为Al和Cu,所述稀土磁体中Al的含量为0.05~1wt%,Cu的含量为0.05~0.3wt%。
4.根据权利要求1所述稀土磁体,其特征在于,所述灰色晶界相面积占所选显微组织观测区域总面积的百分比为2~4%,所述稀土磁体的最大磁能积(BH)max与内禀矫顽力Hcj的数值之和大于75,其中,所述最大磁能积(BH)max的单位为MGOe,所述内禀矫顽力Hcj的单位为kOe。
5.一种权利要求1~4任一项所述的稀土磁体的制备方法,所述稀土磁体为钕铁硼磁体,包括主相和晶界相,其特征在于,包括步骤:
A、将主合金粉和辅合金粉按照95~99:1~5的质量比混合,获得混合磁粉,主合金的各元素质量比为:Ra28~32M10.1~1.4Ga0.3~0.8B0.97~1.0(DyTb)0~2T1bal,辅合金的各元素质量比为:Rb31~35M20~1.4Ga0.5~0.8B0.82~0.92(DyTb)0~2T2bal,其中,Ra和Rb为不包含Dy和Tb的稀土元素,Pr和/或Nd分别在Ra和Rb中的占比为98~100wt%,M1和M2为Al、Cu、Nb、Zr、Sn中的至少一种元素,T1和T2为Fe和Co及不可避免的杂质元素,或者为Fe及不可避免的杂质元素;
B、将所述混合磁粉在磁场下进行取向压制,形成压坯;
C、将所述压坯放入真空烧结炉中进行烧结,获得烧结磁体;
D、对所述烧结磁体进行回火处理,获得所述稀土磁体。
6.根据权利要求5所述稀土磁体的制备方法,其特征在于,M1为Al和Cu,M2为Al和Cu,所述稀土磁体中Al的含量为0.05~1wt%,Cu的含量为0.05~0.3wt%。
7.根据权利要求5所述稀土磁体的制备方法,其特征在于,所述步骤A之前包括步骤:
按照各元素的质量比配备主合金原料和辅合金原料;
将所述主合金原料和所述辅合金原料分别进行速凝处理,获得主合金薄片和辅合金薄片;
将所述主合金薄片和辅合金薄片分别进行氢破碎和磨粉,获得所述主合金粉和辅合金粉。
8.根据权利要求5所述稀土磁体的制备方法,其特征在于,所述步骤D的回火处理包括:
一级回火处理:在温度800℃~950℃,保温2~6h;
二级回火处理:在温度470℃~520℃,保温2~8h。
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