[发明专利]传感器芯片和电子设备在审
申请号: | 201880005066.6 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN110088908A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 安阳太郎;半泽克彦 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S17/10;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素阵列单元 全局控制 传感器芯片 电路 电子设备 矩形区域 驱动元件 传感器元件 驱动传感器 列传感器 元件设置 阵列模式 控制线 传感器 长边 应用 | ||
1.一种传感器芯片,所述传感器芯片包括:
像素阵列单元,所述像素阵列单元具有矩形区域,在所述矩形区域中,多个传感器元件以阵列模式布置;和
全局控制电路,在所述全局控制电路中,用于同时驱动所述传感器元件的驱动元件布置在一个方向上,并且所述驱动元件分别连接到针对每一列所述传感器元件设置的控制线,所述全局控制电路的纵向方向沿着所述像素阵列单元的长边布置。
2.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,
沿着所述像素阵列单元的纵向方向在所述像素阵列单元的两侧布置有两个所述全局控制电路,并且
每个所述全局控制电路的所述驱动元件连接到所述控制线的两端。
3.根据权利要求2所述的传感器芯片,其中,
针对每一列所述传感器元件布置的所述信号线在所述像素阵列单元的大致中心处被分割,并且
在分别布置在所述像素阵列单元的两侧的两个所述全局控制电路的所述驱动元件之中,一侧的所述驱动元件连接到一侧的经分割的所述信号线,且另一侧的所述驱动元件连接到另一侧的经分割的所述信号线。
4.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,所述传感器芯片具有堆叠结构,布置有所述像素阵列单元的传感器基板和布置有所述全局控制电路的逻辑基板堆叠在所述堆叠结构中。
5.根据权利要求4所述的传感器芯片,其中,
布置在所述逻辑基板的所述全局控制电路中的所述驱动元件通过设置在如下区域的周边处的连接部连接到所述信号线的一个端部,所述区域为所述像素阵列单元在所述传感器基板中的布置区域。
6.根据权利要求4所述的传感器芯片,其中,
两个所述全局控制电路沿着所述像素阵列单元的纵向方向以对应于所述像素阵列单元的两侧的方式布置在所述逻辑基板中,并且
在布置在所述逻辑基板中的所述两个全局控制电路中分别布置的所述驱动元件通过设置在如下区域的周边的彼此面对的两侧处的连接部连接到所述信号线的两个端部,所述区域为所述像素阵列单元在所述传感器基板中的布置区域。
7.根据权利要求4所述的传感器芯片,其中,
针对每一列所述传感器元件布置的所述信号线在所述像素阵列单元的大致中心处被分割,并且
在以分别对应于所述像素阵列单元的两侧的方式布置在所述逻辑基板中的两个所述全局控制电路的所述驱动元件之中,一侧的所述驱动元件连接到一侧的经分割的所述信号线,并且另一侧的所述驱动元件连接到另一侧的经分割的所述信号线。
8.根据权利要求4所述的传感器芯片,其中,
所述全局控制电路布置在所述逻辑基板的大致中心处,并且布置在所述逻辑基板的所述全局控制电路中的所述驱动元件通过连接部连接到所述信号线的大致中心,所述连接部设置成在平面图中与所述像素阵列单元重叠。
9.根据权利要求4所述的传感器芯片,其中,
针对每一列所述传感器元件布置的所述信号线在所述像素阵列单元的大致中心处被分割,并且
在所述全局控制电路中针对每一列所述传感器元件布置有两个所述驱动元件,一侧的所述驱动元件连接到所述信号线的一侧的位于所述像素阵列单元的中心侧的端部,并且另一侧的所述驱动元件连接到所述信号线的另一侧的位于所述像素阵列单元的所述中心侧的端部。
10.根据权利要求4所述的传感器芯片,其中,
两个所述全局控制电路布置在所述逻辑基板中,一个所述全局控制电路的所述驱动元件连接到所述信号线的一侧的一半部分的中心,并且另一个所述全局控制电路的所述驱动元件连接到所述信号线的另一侧的一半部分的中心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的