[发明专利]传感器芯片和电子设备在审
申请号: | 201880005066.6 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN110088908A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 安阳太郎;半泽克彦 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S17/10;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素阵列单元 全局控制 传感器芯片 电路 电子设备 矩形区域 驱动元件 传感器元件 驱动传感器 列传感器 元件设置 阵列模式 控制线 传感器 长边 应用 | ||
本发明涉及允许更快速地执行控制的传感器芯片和电子设备。本发明包括:像素阵列单元,像素阵列单元具有矩形区域,在矩形区域中多,个传感器元件以阵列模式布置;和全局控制电路,在全局控制电路中,用于同时驱动传感器元件的驱动元件布置在一个方向上,并且每个驱动元件连接到针对每一列传感器元件设置的控制线,全局控制电路的纵向方向沿着像素阵列单元的长边布置。例如,本技术可以应用于ToF传感器。
技术领域
本公开涉及传感器芯片和电子设备,且更具体地涉及能够以更高的速度进行控制的传感器芯片和电子设备。
背景技术
近年来,要求互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、飞行时间(ToF)传感器、荧光发射检测传感器等的传感器芯片高速地执行控制。例如,在被要求执行超过1Mfps的帧速率的高速驱动的传感器芯片中,需要以亚微秒或10纳秒的级别对控制信号的脉冲进行控制。
例如,在专利文献1中公开了一种ToF传感器,该ToF传感器能够通过随机地输出测量信息来立即执行用于跟踪三维图像等中的测量物体的信号处理。
引用列表
专利文献
专利文献1:JP 2012-049547 A
发明内容
技术问题
然而,在如上所述的用于驱动传感器芯片中包括的传感器元件的驱动元件布置成远离传感器元件的情况下,由于用于驱动传感器元件的控制信号的延迟、压摆率(slewrate)等的影响,难以执行高速控制。
本公开是在考虑到这种状态的情况下作出的,并能高速地进行控制。
解决问题的方案
本公开的一个方面的传感器芯片包括:像素阵列单元,所述像素阵列单元具有矩形区域,在所述矩形区域中,多个传感器元件以阵列模式布置;和全局控制电路,在所述全局控制电路中,用于同时驱动所述传感器元件的驱动元件布置在一个方向上,并且所述驱动元件分别连接到针对每一列所述传感器元件设置的控制线,所述全局控制电路的纵向方向沿着所述像素阵列单元的长边布置。
本公开的一个方面的电子设备包括传感器芯片,所述传感器芯片包括:像素阵列单元,所述像素阵列单元具有矩形区域,在所述矩形区域中,多个传感器元件以阵列模式布置;和全局控制电路,在所述全局控制电路中,用于同时驱动所述传感器元件的驱动元件布置在一个方向上,并且所述驱动元件分别连接到针对每一列所述传感器元件设置的控制线,所述全局控制电路的纵向方向沿着所述像素阵列单元的长边布置。
根据本公开的一个方面,像素阵列单元具有矩形区域,在该矩形区域中,多个传感器元件以阵列模式布置,并且在全局控制电路中,用于同时驱动传感器元件的驱动元件布置在一个方向上,驱动元件的纵向方向沿着像素阵列单元的长边布置,并且驱动元件分别连接到针对每一列传感器元件设置的控制线。
发明的有益效果
根据本公开的一个方面,可以执行高速控制。
注意,这里说明的效果不必是限制性的,且可以获得本公开说明的任何一个效果中。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的传感器芯片的构造的示例的框图。
图2A至2C是示出全局控制电路的构造的示例的图。
图3A和3B是示出滚动控制(rolling control)电路的构造的示例的图。
图4是示出图1所示的传感器芯片的第一变形例的框图。
图5是示出图1所示的传感器芯片的第二变形例的框图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的