[发明专利]基板处理装置及支撑销

说明书

本发明的基板处理装置为对基板进行处理的装置，具有：处理室，在腔室内对所述基板的表面进行处理；后背室，与所述处理室相邻，在所述后背室中移动所述基板，并且在所述后背室中支撑所述基板；掩模，配置在所述处理室与所述后背室的边界位置上；和支撑机构，以能够朝向所述掩模按压所述基板的方式支撑所述基板，从而在对基板进行处理时使所述基板与所述掩模紧贴，所述支撑机构设定为能够追随所述基板和所述掩模的变形而调整作用于所述基板的背面的按压力。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及支撑销，特别是涉及一种适合在立式(立位)处理被处理基板的蒸镀、溅射或CVD等的成膜处理或加热处理等的基板处理中使用的技术。

本申请基于2017年10月24日在日本申请的专利申请2017-205427号要求优先权，并且在此援引其内容。

背景技术

在半导体器件领域或平板显示器(FPD)领域中，作为形成各种薄膜的方法，使用溅射或蒸镀。

对于一般的溅射装置来说，在腔室内设置有溅射用阴极。当利用溅射装置进行成膜时，在减压后的腔室内，以与安装在阴极上的靶隔开规定的间隔相对的方式配置掩模和被处理体(基板)。

另外，当利用蒸镀装置进行成膜时，还对蒸镀源配置掩模和被处理体(基板)。

作为这种装置的例子，如专利文献1所记载的那样，已知具有将立位掩模按压到基板的对准机构的技术。另外，如专利文献2所记载的那样，已知如下的技术：该技术利用磁铁对掩模保持基板，并且将掩模对准到基板，在维持位置关系的状态下进行成膜。

专利文献1：日本专利公开2010-165571号公报

专利文献2：日本专利公开平10-317139号公报

但是，在对FPD等尤其大面积的基板进行制膜的情况下，有时基板或掩模产生波动等变形。由于这种原因，存在如下的问题：即，在掩模与基板之间产生掩模和基板未紧贴的部分，成膜时产生不良情况。

而且，在为了解决这种问题而欲对基板强力按压掩模以消除上述变形的情况下，有可能产生基板发生裂纹或缺损的不良情况。专利文献1所记载的技术无法解决该问题。

另外，如专利文献2所记载的那样，在利用磁铁来保持掩模和基板的情况下，成膜粒子会受到磁场的影响。磁场尤其对溅射粒子带来显著影响。由此，在利用磁铁来保持掩模和基板的情况下，存在磁场有可能对成膜状态带来影响的问题。

而且，在以基板的面与大致铅直方向平行的方式立起基板的状态进行成膜的情况下，即在基板处于立位(立式)的状态下进行成膜的立式成膜的情况下，与在基板的面维持水平的状态下进行成膜的情况(水平成膜)相比较，存在基板与掩模的紧贴性有可能进一步变差的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而提出的，欲实现以下目的。

1、在基板处理过程中，提高掩模与基板的紧贴性。

2、防止基板发生裂纹或缺损。

3、降低因磁场而对基板处理带来不良影响的情况。

4、降低因基板或掩模的变形而对基板处理带来不良影响的情况。

本发明的第一方式的基板处理装置为对基板进行处理的装置，具有：处理室，在腔室内对所述基板的表面进行处理；后背室，与所述处理室相邻，在所述后背室中移动所述基板，并且在所述后背室中支撑所述基板；掩模，配置在所述处理室与所述后背室的边界位置上；和支撑机构，以能够朝向所述掩模按压所述基板的方式支撑所述基板，从而在对基板进行处理时使所述基板与所述掩模紧贴，所述支撑机构设定为能够追随所述基板和所述掩模的变形而调整作用于所述基板的背面的按压力。