[发明专利]三维存储器件的贯穿阵列触点结构

权利要求书

1.一种三维(3D)NAND存储器件，包括：

设置在衬底上的交替层堆叠，所述交替层堆叠包括：

包括交替介电质堆叠的第一区域，所述交替介电质堆叠包括多个介电层对，以及

包括交替导体/介电质堆叠的第二区域，所述交替导体/介电质堆叠包括多个导体/介电层对；

垂直延伸贯穿所述交替层堆叠的阻隔结构，以将所述第一区域与所述第二区域横向隔开；以及

在所述第一区域中的多个贯穿阵列触点，每一个贯穿阵列触点垂直延伸贯穿所述交替介电质堆叠，其中，所述多个贯穿阵列触点中的至少一个贯穿阵列触点是与至少一个外围电路电连接的。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述阻隔结构包括氧化硅和氮化硅。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的存储器件，其中，所述多个介电层对中的每一个介电层对包括氧化硅层和氮化硅层，以及所述多个导体/介电层对中的每一个导体/介电层对包括金属层和氧化硅层。

4.根据权利要求1或2所述的存储器件，其中：

所述多个介电层对的数量是至少32；以及

所述多个导体/介电层对的数量是至少32。

5.根据权利要求1或2所述的存储器件，还包括：

多个狭缝结构，其均垂直延伸贯穿所述交替导体/介电质堆叠以及横向沿着字线方向延伸，以将所述交替导体/介电质堆叠分隔成多个指存储区。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中：

所述阻隔结构沿着所述字线方向横向延伸；以及

所述第一区域是被所述阻隔区域从所述第二区域隔开的，以及夹设在两个相邻狭缝结构之间。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中：

所述阻隔结构沿着与所述字线方向不同的位线方向横向延伸，以将所述第一区域与所述第二区域横向隔开。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中：

所述位线方向是垂直于所述字线方向的。

9.根据权利要求7或8中的任一项所述的存储器件，其中：

被所述阻隔结构围绕的所述第一区域在所述位线方向上的宽度是大于在两个相邻狭缝结构之间的距离的。

10.根据权利要求7或8所述的存储器件，其中：

被所述阻隔结构围绕的所述第一区域在所述字线方向上是夹设在两个顶部选择栅阶梯区域之间的。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中：

所述交替导体/介电质堆叠的在每一个顶部选择栅阶梯区域中的至少顶部两层具有阶梯结构。

12.根据权利要求11所述的存储器件，还包括：

在所述顶部选择栅阶梯区域中的所述阶梯结构上的至少一个导电层，并且所述至少一个导电层被配置为互连顶部选择栅，所述顶部选择栅在所述第二区域中的所述交替导体/介电质堆叠的上方并且在所述字线方向上在被所述阻隔结构围绕的第一区域的两侧。

13.根据权利要求10所述的存储器件，还包括：

被对应的阻隔结构围绕的至少两个第一区域，每一个第一区域平行于所述位线方向延伸。

14.根据权利要求7或8中的任一项所述的存储器件，还包括：

多个阻隔结构，以从所述第二区域围绕多个第一区域，所述多个第一区域是在所述位线方向上对齐的；

其中，所述多个第一区域中的每一个第一区域是在所述位线方向上夹设在两个相邻狭缝结构之间的。

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中：

所述多个第一区域是在所述位线方向上至少对齐为两列的。