[发明专利]低功率有源负载有效
申请号: | 201880006004.7 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN110291410B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 帕特里克·G·苏利万;周康飞 | 申请(专利权)人: | 艾利维特半导体公司 |
主分类号: | G01R31/319 | 分类号: | G01R31/319 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 鲁山;孙志湧 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 有源 负载 | ||
1.一种用于对受测装置执行测试的有源负载电路,包括:
二极管桥,所述二极管桥具有第一节点、第二节点、第三节点和第四节点,所述第一节点与所述第三节点相对并且所述第二节点与所述第四节点相对,其中,经配置以缓冲输入电压的电压缓冲器与所述第一节点连接,拉电流镜与所述第二节点连接并且灌电流镜与所述第四节点连接;
第一电流镜和第二电流镜,所述第一电流镜与所述拉电流镜连接并且所述第二电流镜与所述灌电流镜连接;
第一差分对,所述第一差分对与所述第一电流镜连接,所述第一差分对被从第一恒流源馈送第一偏置电流,其中,所述第一差分对具有第一输入端和第二输入端;以及
第二差分对,所述第二差分对与所述第二电流镜连接,所述第二差分对被从第二恒流源馈送第二偏置电流,其中,所述第二差分对具有第三输入端和第四输入端。
2.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第三节点被配置用于与所述受测装置连接。
3.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第一输入端被配置用于与所述输入电压连接,并且所述第二输入端被配置用于与所述受测装置连接。
4.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第三输入端被配置成与所述输入电压连接,并且所述第四输入端被配置成与所述受测装置连接。
5.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第一恒流源是恒流电路。
6.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第二恒流源是恒流电路。
7.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述拉电流镜、所述第一电流镜、和所述第一差分对之间的连接的链遵循从以下各项的组中选择的配置:串联-串联连接、串联-并联连接、并联-串联连接、和并联-并联连接。
8.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述灌电流镜、所述第二电流镜、和所述第二差分对之间的连接链遵循从以下各项的组中选择的配置:串联-串联连接、串联-并联连接、并联-串联连接、和并联-并联连接。
9.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述电压缓冲器是单位增益缓冲器。
10.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第一电流镜和所述第一差分对各自包括晶体管对。
11.根据权利要求10所述的有源负载电路,其中,所述第一电流镜和所述第一差分对的晶体管对包括MOSFET型晶体管。
12.根据权利要求11所述的有源负载电路,其中,所述MOSFET型晶体管是p沟道MOSFET。
13.根据权利要求1所述的有源负载电路,其中,所述第二电流镜和所述第二差分对各自包括晶体管对。
14.根据权利要求13所述的有源负载电路,其中,所述第二电流镜和所述第二差分对的晶体管对包括MOSFET型晶体管。
15.根据权利要求14所述的有源负载电路,其中,所述MOSFET型晶体管是n沟道MOSFET。
16.一种用于对受测装置执行测试的有源负载电路,包括:
二极管桥,所述二极管桥具有第一节点、第二节点、第三节点和第四节点,所述第一节点与所述第三节点相对并且所述第二节点与所述第四节点相对,其中,经配置以缓冲输入电压的电压缓冲器与所述第一节点连接,拉电流镜与所述第二节点连接,所述第三节点被配置成与所述受测装置连接并且灌电流镜与所述第四节点连接;
第一电流镜和第二电流镜,所述第一电流镜与所述拉电流镜连接并且所述第二电流镜与所述灌电流镜连接;
第一差分对,所述第一差分对与所述第一电流镜连接,所述第一差分对被从第一恒流源馈送第一偏置电流,其中,所述第一差分对具有第一输入端和第二输入端,所述第一输入端被配置成与所述输入电压连接并且所述第二输入端被配置成与所述受测装置连接;以及
第二差分对,所述第二差分对与所述第二电流镜连接,所述第二差分对被从第二恒流源馈送第二偏置电流,其中,所述第二差分对具有第三输入端和第四输入端,所述第三输入端被配置成与所述输入电压连接并且所述第四输入端被配置成与所述受测装置连接。
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