[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其在基板的表面重复进行下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，所述工序为：

通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序；

基于所述溅射的膜重量相对于所得到的总膜重量为0.2％～2.1％。

2.一种成膜方法，其在基板的表面重复进行下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，所述工序为：

通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序；

所述成膜材料为MgF₂，形成折射率小于1.38的膜。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其中，所述成膜材料为SiO₂，形成折射率小于1.46的膜。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其中，所述成膜材料为MgF₂，形成折射率小于1.38的膜。

5.如权利要求3所述的成膜方法，其中，形成折射率为1.41以下的膜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其中，形成铅笔硬度为B以上的膜。

7.如权利要求2所述的成膜方法，其中，基于所述溅射的膜重量小于基于所述真空蒸镀法的膜重量。

8.如权利要求7所述的成膜方法，其中，基于所述溅射的膜重量相对于所得到的总膜重量为0.2％～2.1％。

9.如权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其中，所述蒸镀材料为SiO₂、MgF₂、Al₂O₃、ZrO₂、Ta₂O₅、TiO₂、Nb₂O₅或HfO₂，所述靶材构成物质为Si、Al、Zr、Ta、Ti、Nb、Hf或它们的金属氧化物，所述基板为玻璃基板或塑料基板。

10.如权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其中，使用所述蒸镀材料和与所述蒸镀材料不同材质的靶材构成物质，对形成的膜的折射率进行控制。

11.如权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其中，该成膜方法为使用下述成膜装置在真空容器内在所述基板的表面形成薄膜的成膜方法，所述成膜装置具备：

所述真空容器；

基板支架，其可旋转地设置于所述真空容器的内部，将所述基板保持于基板保持面；

差压容器，其与所述真空容器的内部的所述基板保持面的一部分相向地设置，以通过微小的间隙与所述真空容器的内部的其他区域连通的状态被物理隔离；

溅射机构，其设置于所述差压容器的内部；

气体导入系统，其向所述差压容器的内部导入溅射气体；和

真空蒸镀机构，其在所述真空容器的内部与基板保持面相向地设置，

在该成膜方法中，

将所述真空容器内减压而调整为第1压力，

一边使保持所述基板的基板支架旋转，一边向所述差压容器中导入溅射气体，调整溅射气体的流量和所述间隙的间隔，由此将所述差压容器的内部压力调整为高于所述第1压力的第2压力，之后重复进行下述工序：

溅射工序，所述差压容器的内部的气体通过所述间隙以利用所述溅射气体的流量和所述间隙的间隔进行了调整的流量漏出，在该状态下在所述差压容器的内部产生等离子体，在所述基板保持面的一部分通过溅射在所述基板的表面成膜；和

蒸镀工序，一边使所述基板支架旋转，一边在所述基板保持面中的所述差压容器不相向的部分通过真空蒸镀法在所述基板的表面成膜。