[发明专利]硅基板中间研磨用组合物及硅基板研磨用组合物套组

说明书

本发明提供一种研磨用组合物，其为使用于在比硅基板的精研磨工序还上游的工序，且在精研磨工序后能有效实现高品位的表面。根据本发明，提供一种在包含中间研磨工序与精研磨工序的硅基板的研磨工艺中用于上述中间研磨工序的中间研磨用组合物。上述中间研磨用组合物包含磨粒A₁、碱性化合物B₁和表面保护剂S₁。上述表面保护剂S₁包含重均分子量高于30×10⁴的水溶性高分子P₁，并且包含分散剂D₁，且分散性参数α₁不足80％。

技术领域

本发明为关于硅基板中间研磨用组合物及包含该组合物的硅基板研磨用组合物套组。本申请案为根据2017年2月20日提出申请的日本专利申请案第2017-29153号主张优先权，并将该申请案的全内容导入本说明书作为参照内容。

背景技术

半导体制品的制造等所使用的硅基板表面一般为通过精削(lapping)工序与抛光(polishing)工序来完成高品位的镜面。上述抛光工序典型为由包含预备抛光工序(预备研磨工序)与完成抛光(finish polishing)工序(精研磨工序)的多个研磨工序所构成。作为关于研磨硅晶圆等的半导体基板的技术文献，可举出如专利文献1～3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2012-89862号公报

专利文献2：日本专利申请公开2015-124231号公报

专利文献3：日本专利申请公开2016-4953号公报

发明内容

发明要解决的问题

伴随半导体布线的微细化而要求将硅基板完工成更高品位的表面。例如，希望在精研磨后的表面上更加减少一般称为光点缺陷(LPD，Light Point Defect；LPD)的微小质点(particle)的数量。专利文献1记载通过使用包含低粘度的水溶性高分子化合物的精研磨用组合物来提升研磨后的表面湿润性，进而减少质点附着等的微小缺陷。专利文献2记载通过使用满足规定惯性半径及接触角的羟基乙基纤维素，同样地谋求提升研磨后的湿润性及减少表面缺陷的技术。但是，即便通过此种技术，仍尚有无法充分对应近年来要求的关于精研磨后的表面品质水平的情况。

因此本发明的目的在于，提供一种研磨用组合物，其为用于比硅基板的精研磨工序还上游的工序，且在精研磨工序后能有效实现高品位的表面。本发明的其他目的在于提供一种包含该研磨用组合物的硅基板研磨用组合物套组。

用于解决问题的方案