[发明专利]石墨复合膜及其制造方法

权利要求书

1.一种石墨复合膜，依次配置石墨层、第一导电性粘接层、包含第一金属的第一金属层、包含第二金属的第二金属层而成，

所述第一金属层的配置有所述第一导电性粘接层的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra₁、以及所述第二金属层的与配置有所述第一金属层的一侧的面相反的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra₂中的至少一者为50nm以下。

2.根据权利要求1所述的石墨复合膜，其中，

所述第一金属为铜。

3.根据权利要求1或2所述的石墨复合膜，其中，

所述第二金属是从由锌、镍、铬、钛、铝、金、银、钯以及这些金属的合金构成的组中选择出的至少一种金属。

4.根据权利要求1或2所述的石墨复合膜，其中，

所述第二金属层的厚度在所述第一金属层的厚度以下。

5.根据权利要求4所述的石墨复合膜，其中，

所述第一金属层的厚度在0.10μm以上且5.00μm以下。

6.根据权利要求4所述的石墨复合膜，其中，

所述第二金属层的厚度在0.002μm以上且0.100μm以下。

7.一种石墨复合膜的制造方法，包括：

在具有第一面以及第二面的保护膜的所述第一面蒸镀第一金属而形成第一金属层，在所述第一金属层的表面配置第一导电性粘接片并进行层压，剥离所述保护膜，在所述第一金属层的与配置有所述第一导电性粘接片的一侧的面相反的一侧的表面蒸镀第二金属而形成第二金属层，由此准备带有导电性粘接片的金属蒸镀膜的工序；

在具有第一面以及第二面的石墨膜的所述第一面配置第二导电性粘接片并进行层压，由此准备带有导电性粘接片的石墨膜的工序；以及

将所述带有导电性粘接片的金属蒸镀膜以及所述带有导电性粘接片的石墨膜，配置为所述第一导电性粘接片的表面与所述石墨膜的所述第二面重叠并进行层压的工序，

所述第一金属层的配置有所述第一导电性粘接片的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra₁、以及所述第二金属层的与配置有所述第一金属层的一侧的面相反的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra₂中的至少一者为50nm以下。

8.根据权利要求7所述的石墨复合膜的制造方法，其中，

所述第一金属为铜。

9.根据权利要求7或8所述的石墨复合膜的制造方法，其中，

所述第二金属是从由锌、镍、铬、钛、铝、金、银、钯以及这些金属的合金构成的组中选择出的至少一种金属。

10.一种石墨复合膜的制造方法，包括：

在具有第一面以及第二面的保护膜的所述第一面依次蒸镀第二金属和第一金属，形成包含所述第二金属的第二金属层和包含所述第一金属的第一金属层，在所述第一金属层的表面配置第一导电性粘接片并进行层压，剥离所述保护膜，由此准备带有导电性粘接片的金属蒸镀膜的工序；

在具有第一面以及第二面的石墨膜的所述第一面配置第二导电性粘接片并进行层压，由此准备带有导电性粘接片的石墨膜的工序；以及

将所述带有导电性粘接片的金属蒸镀膜以及所述带有导电性粘接片的石墨膜，配置为所述第一导电性粘接片的表面与所述石墨膜的所述第二面重叠并进行层压的工序，

所述第一金属层的配置有所述第一导电性粘接片的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra₁、以及所述第二金属层的与配置有所述第一金属层的一侧的面相反的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra₂中的至少一者为50nm以下。

11.根据权利要求10所述的石墨复合膜的制造方法，其中，

所述第一金属为铜。