[发明专利]聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体及其制造方法、锂离子电池用负极活性物质、锂离子电池用负极以及锂离子电池

权利要求书

1.一种聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体，其包含：硅纳米粒子，体积基准平均粒径超过10nm且未满500nm，并且不含粒径为1000nm以上的粒子；及聚倍半硅氧烷，被覆所述硅纳米粒子，并化学键结在所述硅纳米粒子的表面，且

具有Si-H键，

利用透射电子显微镜(TEM)所观察到的所述聚倍半硅氧烷的厚度为1nm以上且30nm以下。

2.根据权利要求1所述的聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体，其中，在通过红外分光法对所述聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子进行测定而得的光谱中，当将源自Si-O-Si键的1000cm^-1～1250cm^-1的吸收带中较1100cm^-1为高波数侧的吸收带中的最大吸收峰值的强度设为I_2-1，将较1100cm^-1为低波数侧的吸收带中的最大吸收峰值的强度设为I_2-2时，强度比(I_2-1/I_2-2)超过1。

3.根据权利要求1或2所述的聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子的烧结体，其中，在通过红外分光法对所述聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子进行测定而得的光谱中，当将源自Si-H键的820cm^-1～920cm^-1的吸收带中的最大吸收峰值的强度设为I₁，将源自Si-O-Si键的1000cm^-1～1250cm^-1吸收带中的最大吸收峰值的强度设为I₂时，强度比(I₁/I₂)处于0.01至0.35的范围内。

4.一种锂离子电池用负极活性物质，其包含如权利要求1至3中任一项所述的聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子的烧结体。

5.一种锂离子电池用负极，其包含如权利要求4所述的锂离子电池用负极活性物质。

6.一种锂离子电池，其包括如权利要求5所述的锂离子电池用负极。

7.一种聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体的制造方法，其中，

所述聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子包含：硅纳米粒子，体积基准平均粒径超过10nm且未满500nm，并且不含粒径为1000nm以上的粒子；及聚倍半硅氧烷，被覆所述硅纳米粒子，并化学键结在所述硅纳米粒子的表面，且

具有Si-H键，

利用透射电子显微镜(TEM)所观察到的所述聚倍半硅氧烷的厚度为1nm以上且30nm以下，

所述制造方法包括在硅纳米粒子的存在下，使式(1)所表示的硅化合物进行水解及缩合反应的步骤，

HSi(R)₃ (1)

(式中，R为分别相同或不同的选自卤素、氢、碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中的基；其中，在碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中，任意的氢可经卤素取代)。

8.根据权利要求7所述的聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子的烧结体的制造方法，其进而包括在水解及缩合反应的步骤后，在非氧化性环境下进行烧结的步骤。