[发明专利]集成车载充电机电路及制造方法、集成车载充电机有效

专利信息
申请号: 201880006766.7 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN110636953B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 赵德琦;莫光铖;刘佩甲;吴壬华 申请(专利权)人: 深圳欣锐科技股份有限公司
主分类号: B60L53/14 分类号: B60L53/14;H02J7/02;H02M1/42;H02M1/44;H02M3/335
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518055 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 集成 车载 充电机 电路 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种集成车载充电机电路,其特征在于,包括原边处理电路、变压器、第一副边处理电路、第二副边处理电路、开关K1、开关K2、动力电池、低压电池、控制单元和整流电路,其中:

所述变压器包括原边绕组、第一副边绕组和第二副边绕组,所述控制单元包括固定端、第一选择端和第二选择端,所述第一副边绕组、所述第一副边处理电路、所述开关K1以及所述动力电池依次连接;所述第二副边绕组、所述第二副边处理电路、所述开关K2以及所述低压电池依次连接;所述原边处理电路的一端与所述原边绕组连接,所述原边处理电路的另一端与所述固定端连接;所述整流电路的一端与所述第一选择端连接,所述整流电路的另一端与市电连接;所述第二选择端与所述动力电池连接;

所述控制单元用于控制所述固定端与所述第一选择端或所述第二选择端连接,当所述固定端与所述第一选择端连接时,所述整流电路、所述原边处理电路、所述变压器以及所述第一副边处理电路形成的第一处理电路用于将所述市电的第一部分能量传输到所述动力电池;所述整流电路、所述原边处理电路、所述变压器以及所述第二副边处理电路形成的第二处理电路用于将所述市电的第二部分能量传输到所述低压电池;

当所述固定端与所述第二选择端连接时,所述原边处理电路、所述变压器以及所述第一副边处理电路形成的第三处理电路用于将所述动力电池的第一部分能量回馈到所述动力电池;所述原边处理电路、所述变压器以及所述第二副边处理电路形成的第四处理电路用于将所述动力电池的第二部分能量传输到所述低压电池;

所述开关K1用于控制所述第一处理电路及所述第三处理电路的导通或断开;所述开关K2用于控制所述第二处理电路及所述第四处理电路的导通或断开;

所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总漏感与所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总宽度的关系式为:

其中,所述μ0为真空磁导率,所述L为所述原边绕组与所述第一副边绕组的漏感、所述原边绕组与所述第二副边绕组的漏感以及所述第一副边绕组与所述第二副边绕组的漏感的总漏感,所述Np为所述原边绕组的匝数,所述MLT为单匝的平均匝长,所述b为所述原边绕组与绕组i的内外径之差,所述绕组i为所述第一副边绕组或所述第二副边绕组,所述w为所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总宽度;

所述开关K1和所述开关K2包括以下至少一种:继电器KA、金属半场效晶体管MOSFET、可控硅SCR和绝缘栅双极型晶体管IGBT。

2.根据权利要求1所述的集成车载充电机电路,其特征在于,所述第一副边绕组与所述第二副边绕组之间的距离范围为5mm-50mm。

3.根据权利要求2所述的集成车载充电机电路,其特征在于,所述原边绕组与所述第一副边绕组的线圈结构为三明治绕法结构。

4.根据权利要求3所述的集成车载充电机电路,其特征在于,所述第一副边处理电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4和电容C1,其中:

所述二极管D1的正极分别与所述二极管D2的负极以及所述第一副边绕组的第一端连接;

所述二极管D2的正极分别与所述二极管D4的正极以及所述电容C1的负极连接;

所述二极管D4的负极分别与所述二极管D3的正极以及所述第一副边绕组的第二端连接;

所述二极管D3的负极分别与所述二极管D1的负极以及所述电容C1的正极连接。

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