[发明专利]用于生产光电元件的方法有效
申请号: | 201880007573.3 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN110494990B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 崇初威;林秋建;高仁塔;阿德伦·恩格;蔡定海 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 陈方鸣 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生产 光电 元件 方法 | ||
1.一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法,其中至少在所述部件的发光侧的一部分上方布置牺牲层,其中至少在所述牺牲层的外表面的一部分中形成倒置光学结构,其中所述牺牲层的外表面被光透明层覆盖,其中所述倒置光学结构被转移到透明层的内侧,其中去除所述牺牲层并且在所述部件与所述光透明层之间形成间隙,其中所述光透明层在所述内侧包括光学结构,其中至少一个发光部件布置在载体上,其中所述牺牲层形成在所述发光部件的上侧上并且至少形成在所述发光部件的两个相对的侧面上,其中所述牺牲层还在所述载体上在所述发光部件的侧面旁边形成具有更小高度的至少一个隧道节段,其中在所述牺牲层中形成所述倒置光学结构之后并且在通过所述光透明层覆盖所述牺牲层之后,其中将所述倒置光学结构转移到所述透明层的内侧,首先去除所述牺牲层的所述至少一个隧道节段,并然后经由所述至少一个隧道节段去除所述牺牲层并在所述发光部件与所述光透明层之间形成间隙。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述牺牲层包括聚合物,并且在将所述倒置光学结构转移到所述透明层的所述光学结构之后,通过将所述牺牲层至少加热到第一温度,蒸发所述牺牲层,形成所述间隙。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述聚合物是选自聚碳酸亚丙酯、聚碳酸亚乙酯、聚环己烷碳酸酯、聚环己烷丙烯碳酸酯、聚降冰片烯碳酸酯及其组合的聚碳酸酯。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述牺牲层包括三羟甲基乙烷。
5.根据权利要求1所述的方法,其中使用掩模在所述牺牲层中蚀刻所述倒置光学结构。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学结构包括菲涅耳结构。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学结构包括透镜形状。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述牺牲层的顶表面和/或侧表面形成有所述倒置光学结构。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述发光部件的上侧和侧面覆盖有所述牺牲层。
10.根据权利要求1所述的方法,其中在所述光透明层中形成隧道,并且其中所述牺牲层的蒸发的材料经由所述隧道从所述间隙排出去。
11.根据权利要求1所述的方法,其中多个发光部件布置在所述载体上,其中所述牺牲层形成在所述发光部件的上侧上并且至少形成在所述发光部件的两个相对侧面上,其中所述牺牲层还在所述载体上两个发光部件之间所述发光部件的相对侧面旁边形成具有更小高度的隧道节段,其中针对所述发光部件一体地形成一个共同的牺牲层,其中在所述牺牲层中形成所述倒置光学结构之后并且在通过所述光透明层覆盖所述牺牲层之后,其中将所述倒置光学结构转移到所述透明层的内侧,首先去除与所述光透明层的侧面邻接的所述牺牲层的至少两个隧道节段,并然后去除所述牺牲层并在所述发光部件与所述光透明层之间经由两个隧道节段形成间隙。
12.根据权利要求1所述的方法,其中通过蚀刻工艺、压模、压缩模制或激光结构化,在沉积所述牺牲层之后形成所述隧道节段。
13.根据权利要求1所述的方法,其中在沉积所述牺牲层之前,所述部件的发光侧由转换层覆盖。
14.一种具有发光部件(1)的光电元件(19),其中至少在所述部件(1)的发光侧的一部分上方布置光透明层(13),其中至少在所述光透明层(13)的内侧(17、22、23、24、25)的一部分处布置光学结构(18),其中所述内侧(17、22、23、24、25)被导引到所述部件(1),并且其中根据前述权利要求中任一项所述的方法生产所述元件(19)。
15.根据权利要求14所述的元件,其中所述透明层(13)包含模制材料。
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