[发明专利]用于生产光电元件的方法有效
申请号: | 201880007573.3 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN110494990B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 崇初威;林秋建;高仁塔;阿德伦·恩格;蔡定海 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 陈方鸣 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生产 光电 元件 方法 | ||
本发明涉及一种用于生产具有发光部件(1)的光电元件的方法,其中至少在发光部件(1)的发光侧的一部分上方布置牺牲层(9),其中至少在牺牲层(9)的外表面的一部分中形成倒置光学结构,其中牺牲层(9)的外表面被光透明层(13)覆盖,其中倒置光学结构被转移到光透明层(13)的内侧形成光学结构(18),其中去除牺牲层(9)并且在发光部件(1)与光透明层(13)之间形成间隙,并且其中光透明层(13)在其内侧包括光学结构(18)。
技术领域
本发明涉及一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法并且涉及一种光电元件。
该专利申请要求国际专利申请PCT/EP2017/051108的优先权,该申请通过引用并入本文。
背景技术
在现有技术中,已知生产具有发光部件的光电元件,其中发光部件被透明层覆盖,其中透明层在内侧包括光学结构。提供光学结构以引导由发光部件在预定方向上发射的光。
在现有技术中,已知使用牺牲层在LED和透镜之间产生气隙,这来自US 7052821B1或文章:“使用基于聚合物的气隙的低成本MEMS封装(Low-cost MEMS packaging usingpolymer-based air-gaps)”,E.Uzunlar等人,ECS会报,61“3”第237-242页(2014),电气学会。
发明内容
所提出的申请的目的是提供一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法。
这些目的是通过独立权利要求实现的。从属权利要求描述了所提出的方法或所提出的光电元件的其它实施例。
提出了一种用于生产具有发光部件的光电元件的方法,其中至少在部件的发光侧的一部分上方布置牺牲层,其中至少在牺牲层的外表面的一部分中形成倒置(反转,inverted)光学结构,其中牺牲层的外表面被光透明层覆盖,其中倒置光学结构被转移到透明层的内侧,其中去除牺牲层并且在部件与光透明层之间形成间隙,其中光透明层在内侧包括光学结构。
所提出的用于生产发光元件的方法的优点在于,光透明层相对于发光部件精确地布置。此外,通过所提出的方法可以容易地生产光电元件。
在实施例中,牺牲层包含聚合物,并且在将倒置光学结构转移到透明层的光学结构之后,通过将牺牲层至少加热到第一温度,蒸发牺牲层,形成间隙。
在实施例中,聚合物是选自聚碳酸亚丙酯、聚碳酸亚乙酯、聚环己烷碳酸酯、聚环己烷丙烯碳酸酯、聚降冰片烯碳酸酯及其组合的聚碳酸酯。该材料中的每种都可用于形成牺牲层。
在实施例中,牺牲层包括例如由三羟甲基乙烷制成的塑料晶体。
在实施例中,牺牲层由聚碳酸酯或三羟甲基乙烷制成,其中在将倒置光学结构转移到透明层的光学结构之后,通过将牺牲层加热到至少第一温度,蒸发牺牲层,形成间隙。聚碳酸酯或三羟甲基乙烷可以容易地加工。倒置光学结构可以在聚碳酸酯或三羟甲基乙烷中精确地形成,例如通过使用具有掩模和蚀刻工艺的光刻方法。此外,聚碳酸酯和三羟甲基乙烷可以在适中的温度下容易地蒸发。取决于所使用的牺牲层材料,100℃与200℃之间的温度足以去除牺牲层。
在实施例中,光学结构包括菲涅耳结构或透镜形状。其他形状也可以形成为光学结构。
在实施例中,在光透明层中形成隧道,其中牺牲层的蒸发材料经由隧道从间隙中排出去。该方法快速并且允许在短时间内形成大的气隙。
提出一种具有发光部件的光电元件,其中至少在部件的发光侧的一部分上方布置光透明层,其中光学结构布置在光透明层的内侧,其中内侧指向部件,并且其中元件根据前述权利要求中任一项所述的方法生产。
在实施例中,发光部件的上侧和侧面覆盖有牺牲层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880007573.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。