[发明专利]芯片电阻器

说明书

芯片电阻具备：绝缘基板，由氧化铝构成；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面；玻璃釉层，被设置于绝缘基板的上表面并由玻璃构成；和电阻体，被设置于玻璃釉层的上表面。电阻体形成于一对电极之间。玻璃釉层的玻璃的软化点为580℃～760℃。在该芯片电阻中，能够防止电阻体剥离。

技术领域

本发明涉及芯片电阻器。

背景技术

专利文献1中公开的现有的芯片电阻器具备：绝缘基板，由氧化铝构成；玻璃层，被设置于该绝缘基板的上表面的中央部；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面的两端部；和电阻体，被设置于玻璃层的上表面，并且形成于一对电极之间。在该芯片电阻器中，在将电阻体烧成时电阻体可能从玻璃层剥落。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开平6-53005号公报

发明内容

芯片电阻具备：绝缘基板，由氧化铝构成；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面；玻璃釉层，被设置于绝缘基板的上表面并由玻璃构成；和电阻体，被设置于玻璃釉层的上表面。电阻体形成于一对电极之间。玻璃釉层的玻璃的软化点为580℃～760℃。

在该芯片电阻中，能够防止电阻体剥离。

附图说明

图1是实施方式中的芯片电阻器的剖视图。

图2是表示构成实施方式中的芯片电阻器的玻璃釉层的玻璃的软化点与电阻体的紧贴性的关系的图。

具体实施方式

图1是实施方式中的芯片电阻器501的剖视图。芯片电阻器501具备：由氧化铝构成的绝缘基板1、被设置于绝缘基板1的上表面101的两端部的一对电极12、22、被设置于绝缘基板1的上表面101的中央部的玻璃釉层3、被设置于玻璃釉层3的上表面的电阻体4、覆盖一对电极12、22的一部分和电阻体4的保护膜5、分别设置于绝缘基板1的两端面的一对端面电极16、26、和分别形成于一对端面电极16、26的表面的镀层17、27。电阻体4形成于一对电极12、22之间并连接于电极12、22。端面电极16、26分别电连接于一对电极12、22。

绝缘基板1由氧化铝(Al₂O₃)构成，具有矩形形状。

一对电极12、22通过在绝缘基板1的上表面101印刷并烧成包含银、银钯或者铜的厚膜材料而形成。另外，也可以在绝缘基板1的下表面201的两端部形成一对下表面电极12a、22a。

玻璃釉层3由玻璃3a、和分散于玻璃3a的填料3b构成，被设置于绝缘基板1的上表面101的中央部。玻璃釉层3的厚度为5μm以上。

玻璃釉层3也可以形成于绝缘基板1的上表面101整面。玻璃釉层3也可以不与一对电极12、22重叠。

玻璃3a的软化点为580℃～760℃，能够适合使用包含碱金属氧化物R₂O的SiO₂-B₂O₃-ZnO-R₂O系玻璃或者SiO₂-B₂O₃-R₂O系玻璃。

对于填料3b，为了使玻璃釉层3的热膨胀系数接近于绝缘基板1，氧化铝粉末是适合的，其含量相对于玻璃釉层3整体优选为15vol％～40vol％。

电阻体4被设置于玻璃釉层3的上表面103，并且形成于一对电极12、22之间。电阻体4由CuNi构成，印刷多次含有CuNi的电阻糊膏，在氮气环境中以950℃进行烧成而形成。此外，电阻体4的厚度为50μm以上以使得电阻值变低。