[发明专利]光耦合装置以及光耦合装置的制造方法

权利要求书

1.一种光耦合装置，其特征在于，包括：

光纤；

高NA光导波路，具有比所述光纤更高的数值孔径；

模场变换部，具有比所述高NA光导波路的另一端更大的模场直径，使所述光纤与所述高NA光导波路耦合；以及

毛细管，具有保持所述高NA光导波路以及所述模场变换部的贯通孔，所述高NA光导波路的另一端配置在所述贯通孔的端部。

2.根据权利要求1所述的光耦合装置，其特征在于，

所述高NA光导波路是使用了石英玻璃的光纤或平面光波回路(Planar LightwaveCircuit)，

所述高NA光导波路的纤芯至少包括Ta、Ge、Ti以及Zr中的一种元素。

3.根据权利要求2所述的光耦合装置，其特征在于，

所述高NA光导波路的所述一端与所述光纤熔融连接，

所述高NA光导波路的所述一端作为所述模场变换部发挥功能。

4.根据权利要求3所述的光耦合装置，其特征在于，所述模场变换部在所述高NA光导波路的包层上具有凹陷。

5.根据权利要求3或4所述的光耦合装置，其特征在于，所述高NA光导波路的纤芯至少包括Sn以及Hf中的1种元素。

6.根据权利要求1或2所述的光耦合装置，其特征在于，所述高NA光导波路是所述一端的模场直径比所述另一端更大的光纤或平面光波回路(Planar Lightwave Circuit)，

所述高NA光导波路的所述一端与所述光纤粘接，

所述高NA光导波路的所述一端作为所述模场变换部发挥功能。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的光耦合装置，其特征在于，配置所述模场变换部的所述贯通孔的内径比配置所述高NA光导波路的所述另一端的所述贯通孔的内径更大。

8.一种光耦合装置的制造方法，其特征在于，依次具有：

熔融连接工序，将光纤以及数值孔径比所述光纤更高的高NA光导波路的连接部分加热熔融之后，将所述光纤以及所述高NA光导波路向拉开的方向拉伸；

配置工序，将所述高NA光导波路的另一端从构成毛细管的贯通孔的2个开口之中的内径较大的开口插入，以所述连接部分配置在所述贯通孔内且所述高NA光导波路的另一端配置在所述贯通孔的端部的方式，将所述高NA光导波路以及所述连接部分配置在所述贯通孔内；以及

固定工序，使用粘合剂将所述连接部分固定在所述贯通孔内。