[发明专利]光耦合装置以及光耦合装置的制造方法在审
申请号: | 201880008049.8 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN110199212A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 中原基博;宮哲雄 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26;G02B6/255 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李成必;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光耦合装置 光导波路 贯通孔 光纤 端部配置 高效率 光回路 光耦合 毛细管 制造 | ||
本发明提供一种光耦合装置以及光耦合装置的制造方法。本发明的目的在于不使用V型槽基板而实现在光回路的端面与光纤之间的高效率的光耦合。本发明的光耦合装置,具备光纤(11)、高NA光导波路(12、22)、具有比高NA光导波路(12、22)的另一端更大的模场直径的模场变换部(PS)、以及具有保持高NA光导波路(12、22)和模场变换部(PS)的贯通孔的毛细管(13),在贯通孔的端部配置高NA光导波路(12、22)的另一端。
技术领域
本发明涉及光耦合装置以及其制造方法。
背景技术
已知有用于连接光元件阵列与光纤的光耦合装置(例如,参照专利文献1。)。专利文献1的光耦合装置在光回路的端面和光纤之间介入有短光纤以实现高效率的光耦合。
专利文献1的光耦合装置进行使光纤与短光纤的纤芯间无间隙面接触的物理接触连接。为了使此时的光纤以及短光纤的光轴一致,专利文献1的光耦合装置在V型槽基板上固定了微型毛细管。
现有技术文献
专利文献1:日本专利公开公报特开2000-121871号
发明内容
从光模块的小型化和零件数量削减的观点来看,期望省略V型槽基板。另一方面,还要求在光回路的端面与光纤之间实现高效率的光耦合。
因此,本发明的目的在于实现不使用V型槽基板且在光回路的端面与光纤之间的高效率的光耦合。
本发明涉及的光耦合装置包括:光纤;高NA光导波路,具有比所述光纤更高的数值孔径;模场变换部,具有比所述高NA光导波路的另一端更大的模场直径,使所述光纤与所述高NA光导波路耦合;以及毛细管,具有保持所述高NA光导波路以及所述模场变换部的贯通孔,在所述贯通孔的端部配置所述高NA光导波路的另一端。
本发明涉及的光耦合装置的制造方法依次具有:熔融连接工序,将光纤以及数值孔径比所述光纤更高的高NA光导波路的连接部分加热熔融之后,将所述光纤以及所述高NA光导波路向拉开的方向拉伸;配置工序,将所述高NA光导波路的另一端从构成毛细管的贯通孔的2个开口之中的内径较大的开口插入,以所述连接部分配置在所述贯通孔内且所述高NA光导波路的另一端配置在所述贯通孔的端部的方式,将所述高NA光导波路以及所述连接部分配置在所述贯通孔内;以及固定工序,使用粘合剂将所述连接部分固定在所述贯通孔内。
按照本发明,可以实现不使用V型槽基板而实现光回路与光纤之间的高效率的光耦合。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的光耦合装置的构成例。
图2是表示配置工序的说明图。
图3是表示实施方式1涉及的模场变换部的放大图。
图4是表示实施方式1涉及的光耦合装置的另一个实施方式。
图5是表示向光回路的连接例。
图6是表示实施方式2涉及的光耦合装置的构成例。
图7是表示实施方式2涉及的光耦合装置的构成例。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。此外,本发明不限于以下所示的实施方式。这些实施例仅为示例,本发明可以根据本领域技术人员的知识以实施了多种变更、改良的方式实施。此外,在本说明书以及附图中符号相同的构成要素表示相同的构成要素。
(实施方式1)
图1是表示公开的光耦合装置的构成例。公开的光耦合装置具备光纤11、作为高NA光导波路发挥功能的高NA光纤12、模场变换部PS以及毛细管13。在本实施方式中,对光纤11以及高NA光纤12的材料为石英玻璃的情况进行说明。
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