[发明专利]有机器件的制造方法及成膜装置在审

专利信息
申请号: 201880008184.2 申请日: 2018-01-05
公开(公告)号: CN110214471A 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 森岛进一;岸川英司;下河原匡哉 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;C23C14/04;C23C14/56;H01L51/48;H01L51/50;H05B33/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹阳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 挠曲性 遮蔽 基板 成膜工序 有机器件 遮蔽区域 成膜源 电极层 成膜装置 基板分离 基板供给 运送方向 成膜 主面 制造 运送 配置
【权利要求书】:

1.一种有机器件的制造方法,

该制造方法具备在形成于沿一个方向延伸的挠曲性基板的主面的第1电极层上形成包含器件功能部及第2电极层的层叠结构的工序,所述器件功能部包含至少一个功能层,

形成所述层叠结构的工序具有一边连续运送形成有所述第1电极层的所述挠曲性基板、一边在所述第1电极层上将第1~第N层成膜的工序,其中,N为2以上的整数,

所述成膜的工序中,一边利用配置于第1~第N成膜源与所述挠曲性基板之间的第1~第N遮蔽部遮蔽所述主面的一部分区域,一边从所述第1~第N成膜源向所述第1~第N层用的成膜区域选择性地供给所述第1~第N层的材料,由此将所述第1~第N层分别依次在所述第1电极层上成膜,

所述第1~第N遮蔽部在与所述挠曲性基板分离的状态下,在所述挠曲性基板的运送方向上被固定,

利用所述第1~第N遮蔽部当中的至少一个遮蔽部的所述主面上的遮蔽区域与利用所述第1~第N遮蔽部当中的至少一个其他遮蔽部的遮蔽区域不同。

2.根据权利要求1所述的有机器件的制造方法,其中,

所述成膜的工序中,一边将所述挠曲性基板卷绕于第1~第N成膜辊的辊表面一边将所述第1~第N层成膜。

3.根据权利要求1或2所述的有机器件的制造方法,其中,

所述成膜的工序中,将所述第1~第N层分别利用干式成膜法成膜。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的有机器件的制造方法,其中,

利用所述第1~第N遮蔽部当中的第k遮蔽部的遮蔽区域比利用第(k-1)遮蔽部的遮蔽区域窄,其中,2≤k≤N。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的有机器件的制造方法,其中,

所述第1~第N遮蔽部在所述挠曲性基板上将相对于功能体现设计区域更靠外侧的区域遮蔽,所述功能体现设计区域是欲形成所述器件功能部的功能体现区域的区域。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的有机器件的制造方法,其中,

在所述挠曲性基板的所述主面的垂线方向上,所述第1~第N遮蔽部当中的第n遮蔽部的所述主面侧的面与所述主面之间的距离Dn为所述挠曲性基板的厚度的1倍~160倍,其中,1≤n≤N。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的有机器件的制造方法,其中,

在所述挠曲性基板的所述主面的垂线方向上,在将所述第1~第N遮蔽部当中的第n遮蔽部的所述主面侧的表面与所述主面之间的距离Dn的最大值设为Dnmax、将最小值设为Dnmin时,Dnmax与Dnmin满足:

{(Dnmax-Dnmin)/((Dnmax+Dnmin)/2)}×100≤40

其中,1≤n≤N。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的有机器件的制造方法,其中,

所述第1~第N遮蔽部当中的给定的遮蔽部沿所述挠曲性基板的宽度方向具有多个遮蔽板,

所述多个遮蔽板彼此分离。

9.根据权利要求8所述的有机器件的制造方法,其中,

所述成膜的工序具有通过使所述多个遮蔽板当中的至少一个遮蔽板沿所述挠曲性基板的宽度方向移动来调整遮蔽区域的工序。

10.根据权利要求9所述的有机器件的制造方法,其中,

所述成膜的工序在所述调整遮蔽区域的工序前,具有取得所述挠曲性基板所具有的基准位置信息的工序,

所述调整遮蔽区域的工序中,基于所述基准位置信息调整所述遮蔽区域。

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