[发明专利]复合烧结体、静电卡盘部件及静电卡盘装置

说明书

本发明的复合烧结体为含有作为主相的氧化铝及作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，在晶界中的氧化铝的晶粒与碳化硅的晶粒之间的界面具有将氧化铝及碳化硅以外的材料作为形成材料的界面层。

技术领域

本发明涉及一种复合烧结体、静电卡盘部件及静电卡盘装置。

本申请主张基于2017年2月23日于日本申请的日本专利申请2017-032622号及日本专利申请2017-032623号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，实施等离子体工序的半导体制造装置具有静电卡盘装置。静电卡盘装置能够在试样台上简单地安装板状试样(例如晶片)并进行固定。并且，静电卡盘装置能够将该晶片维持在所期望的温度。静电卡盘装置具备一个主面为载置晶片的载置面的基体及在与载置于载置面的晶片之间产生静电力(库仑力)的静电吸附用电极(例如，参考专利文献1)。

例如，在等离子体工序中使用如上所述的静电卡盘装置的情况下，载置晶片的基体通过等离子体加热至高温。因此，基体使用具有耐热性且具有绝缘性的陶瓷材料形成。

在这种静电卡盘装置中，利用在晶片与静电吸附用电极之间产生的静电力来固定晶片。即，当静电卡盘装置固定晶片时，对静电吸附用电极施加电压，从而在晶片与静电吸附用电极之间产生静电力。另一方面，在拆除固定于静电卡盘装置的载置面的晶片时，停止对静电吸附用电极施加电压，从而使晶片与静电吸附用电极之间的静电力消失。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4744855号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

然而，以往的静电卡盘装置中，例如欲在实施等离子体工序之后拆除晶片时，有时会在已加热的载置面与晶片之间残留有吸附力，从而难以拆除晶片。若产生这种状况，则工作效率会下降，因此需要进行改善。

并且，使用半导体的器件趋于高集成化。在制造使用半导体的器件时，需要配线的微细化(还称为微细加工技术)或3D化(还称为三维安装技术)。因此，半导体制造装置及在半导体制造装置中使用的静电卡盘装置的使用条件变得严格。根据这种使用条件的变更，要求能够以良好的成品率处理晶片的静电卡盘装置。半导体制造装置中要求(i)减少晶片的面内温度分布(温度差)或(ii)能够可靠地实施深挖加工技术。

另外，在本说明书中，有时将“载置于试样台上的晶片的面内温度分布(温度差)程度”称为“均热性”。“均热性高”表示晶片的面内温度分布小。

在静电卡盘装置中，已知有如下技术：(i)为了减少晶片的面内温度分布(温度差)，在试样台上设置微细的槽，并使气体制冷剂(例如氦)在该槽流动，由此冷却载置于试样台上的晶片。在这种静电卡盘装置中，为了提高均热性，可考虑提高制冷剂的气压来提高冷却效率。另一方面，在提高制冷剂的气压的情况下，为了不使晶片因从制冷剂承受的压力而脱离，静电卡盘装置中要求高吸附力。为了获得高吸附力，优选静电卡盘装置的基体的相对介电常数高。

并且，在使用静电卡盘装置的半导体制造装置中，(ii)为了可靠地实施深挖加工技术，加工时的施加电压趋于增加。因此，静电卡盘装置中要求高耐电压。

然而，已知相对介电常数及耐电压为相反关系。因此，要求可兼顾相对介电常数及耐电压的陶瓷烧结体。

并且，要求能够提高生产率的静电卡盘装置。

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种适用于静电卡盘装置、能够提高生产率且可兼顾高相对介电常数及高耐电压的复合烧结体。并且，其目的在于，提供一种使用这种复合烧结体的静电卡盘部件及静电卡盘装置。

用于解决技术课题的手段