[发明专利]部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法有效
申请号: | 201880008938.4 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN110235236B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 林下英司;高桥宏和;福良和秀 | 申请(专利权)人: | 三井化学东赛璐株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B32B15/08;B32B27/00;B32B27/36;C09J7/20;H01L21/301 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件 制造 用具 方法 | ||
本发明的目的在于提供具有能在不同工序间通用的通用性并且在加热环境下能可靠地吸附于卡盘台的部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法,本发明的膜(1)具有第1区域S1和包围区域S1而配置的第2区域S2,区域S1由基层11和设置在其一面侧的粘着材层12形成,区域S2由基层11和粘着材层12、以及贴附在层12上的附加层13形成,在温度190℃以下的范围,附加层13的拉伸弹性模量大于或等于基层11的拉伸弹性模量。本发明的方法具备部件固定工序、以区域S1与区域S2的边界位于与卡盘台端缘相比靠内侧的方式进行载置的膜载置工序、吸附工序以及加热工序。
技术领域
本发明涉及部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法。进一步详细而言,涉及在半导体部件制造中所利用的部件制造用膜、使用了该部件制造用膜的部件制造用具、制造半导体部件的部件制造方法、在电子部件制造中所利用的部件制造用膜、使用了该部件制造用膜的部件制造用具、以及制造电子部件的部件制造方法。
背景技术
近年来,已知将形成有电路的晶片进行单片化后,对单片化后的半导体部件进行检查,仅拾取检查合格的半导体部件,送往后续的工序这样的半导体部件的制造方法。该制造方法例如在下述专利文献1(参照权利要求1等)中被公开。
一般而言,半导体部件在1片半导体晶片上一体地形成后,进行单片化而制造,但由于存在初期不良的个体,因此通过利用专利文献1的方法,能够不将担心初期不良的个体带入到后续工序,使最终制品的成品率提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平08-330372号公报
专利文献2:日本特开2007-005436号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在利用上述方法时,需要进行切割(单片化)、检查、拾取这3个工序。此时,半导体晶片、半导体部件(将半导体晶片进行了单片化的物质)等部件虽然在配置于载体(贴附片、夹具等)上的状态下被加工,但是在各工序中对载体要求的性能是不同的。因此,以往,对于每个工序,都需要使部件转移至根据需要的载体上,复杂且导致成本增加。
上述专利文献1中,试图利用伸缩性片来解决该问题。然而,专利文献1中设想的“伸缩性”为热伸缩性。即,试图通过使片预先热收缩来形成后续的延伸余地,从而消除起因于热膨胀差的检查用电极焊盘111与凸块103的错位(参照专利文献1[图15])。因此,专利文献1中设想的伸缩量为接触器的热膨胀量程度的极小的变位量(接触器没有特意利用热膨胀量大的材料)。具有这样的热伸缩特性的片反而缺乏伴随力的负荷而获得的力学伸缩性,得不到适于拾取工序的膨胀的伸长量。因此,专利文献1中虽然记载了拾取工序(专利文献1[图2](c)),但实际上,如果要使用所设想的伸缩性片而进行到拾取工序,则片的力学伸缩量不足,拾取性会显著降低。另一方面,就力学伸缩性优异的片而言,其热膨胀量也大,因此伸缩性片的热膨胀量相对于接触器的热膨胀量变得过剩,结果,无法消除检查用电极焊盘111与凸块103的错位。如上所示,可以说通过调节构件之间的热膨胀差来调整能够在切割、检查、拾取这3个工序中通用的载体,是极其困难的。
另一方面已知,上述工序中,在切割工序和拾取工序中,能够利用上述专利文献2所公开的切割膜作为载体。切割工序是将半导体晶片在贴附于切割膜的状态下进行单片化而获得半导体部件的工序,拾取工序是将切割膜拉伸,使单片化后的半导体部件彼此形成间隙而进行拾取的工序。因此,切割膜具有可耐受切割的机械强度和能够以部件彼此能形成间隙的程度拉伸的柔软性(力学伸缩性)。
另一方面,上述检查工序中能够包含各种单独工序,尤其能够包含在加温环境下的工作确认、使用了热应力负荷的加速评价等利用了热附加的检查。因此,载体除了要求在上述切割工序和拾取工序中所需要的机械强度和柔软性以外,还要求耐热性,但关于这一点,在专利文献2中并未研究。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造