[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备有效

专利信息
申请号: 201880009192.9 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN110249406B 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;C23C16/44;C23C16/505
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 远程 等离子体 流动 cvd 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理系统,包括:

处理腔室,所述处理腔室具有腔室主体,所述腔室主体界定处理区域和等离子体场,其中所述处理腔室包括:

区隔板;

面板,所述面板位于所述区隔板下方,其中所述面板是连接到射频电源的电极;

离子区隔板,所述离子区隔板位于所述面板下方,其中所述离子区隔板是连接到所述射频电源的电极,并且其中所述面板和所述离子区隔板在所述面板与所述离子区隔板之间界定所述等离子体场,并且所述离子区隔板具有形成于所述离子区隔板中的多个孔径,所述多个孔径中的每一个孔径包括中心轴,所述多个孔径中的每一个孔径和每一个中心轴从所述离子区隔板的顶表面延伸至所述离子区隔板的底表面;以及

双通道喷头,所述双通道喷头位于与所述离子区隔板相邻,所述双通道喷头包括形成在所述双通道喷头中的第一多个开口和第二多个开口,所述第一多个开口中的每一个包括第一中心轴,所述第一多个开口中的每一个和所述第一中心轴中的每一个形成为从所述双通道喷头的顶表面至所述双通道喷头的底表面并且被布置为使得所述第一多个开口中的每一个的所述第一中心轴和所述第二多个开口从所述离子区隔板中的所述多个孔径的所述中心轴中的每一个偏离;以及

腔室陈化系统,所述腔室陈化系统耦接到所述处理腔室,所述腔室陈化系统耦合至所述处理腔室。

2.如权利要求1所述的等离子体处理系统,其中所述处理腔室进一步包括:

间隔件,所述间隔件将所述面板与所述离子区隔板电隔离。

3.如权利要求1所述的等离子体处理系统,其中所述离子区隔板包括:

盘形主体,贯穿所述离子区隔板的所述多个孔径以六角形图案布置。

4.如权利要求3所述的等离子体处理系统,其中所述双通道喷头的所述第二多个开口以偏离所述离子区隔板的所述六角形图案的图案布置。

5.如权利要求4所述的等离子体处理系统,其中所述第二多个开口进一步包括:

一个或多个气体通道,所述一个或多个气体通道在所述双通道喷头中形成,所述第二多个开口中的每一个将所述一个或多个气体通道流体地耦接到所述处理区域。

6.如权利要求5所述的等离子体处理系统,进一步包括:

气源;

第一馈送管线,所述第一馈送管线流体地耦接所述气源和第一阀;

第二馈送管线,所述第二馈送管线将所述第一阀流体地耦接到上部歧管;

第三馈送管线,所述第三馈送管线流体地耦接所述气源和第二阀;以及

第四馈送管线,所述第四馈送管线流体地耦接所述第二阀和所述双通道喷头,使得气体从所述气源穿过所述第二阀进入所述气体通道。

7.如权利要求6所述的等离子体处理系统,其中所述上部歧管设置在所述面板、所述离子区隔板和所述双通道喷头上方,并且所述第一阀将所述气源和所述上部歧管流体连接。

8.如权利要求1所述的等离子体处理系统,其中所述腔室陈化系统包括:

第一阀,所述第一阀耦接到所述腔室主体的上部歧管,所述第一阀能在开启位置和关闭位置之间配置;以及

第二阀,所述第二阀与所述处理区域流体连通,所述第二阀能在开启位置和关闭位置之间配置。

9.如权利要求8所述的等离子体处理系统,其中所述等离子体处理系统进一步包括远程等离子体清洁系统,所述远程等离子体清洁系统包括:

远程等离子体发生器;以及

上部分流歧管,所述上部分流歧管耦接到所述远程等离子体发生器并且流体地设置在所述远程等离子体发生器和所述第一阀之间。

10.如权利要求1所述的等离子体处理系统,进一步包括:

第二处理腔室,所述第二处理腔室具有腔室主体,所述腔室主体界定第二处理区域和第二等离子体场,其中所述腔室陈化系统耦接到所述第二处理腔室,所述腔室陈化系统经配置以陈化所述第二处理区域和所述第二等离子体场,并且其中远程等离子体清洁系统与所述第二处理腔室连通,所述远程等离子体清洁系统经配置以清洁所述第二处理区域和所述第二等离子体场。

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