[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备

说明书

本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。

技术领域

本文描述的实施总的来说涉及基板处理设备，且更具体地涉及改进的等离子体增强化学气相沉积腔室。

背景技术

半导体处理涉及能够使微型集成电路创建于基板上的许多不同的化学和物理工艺。通过化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等产生构成集成电路的材料层。使用光阻掩模和湿式蚀刻或干式蚀刻技术来图案化某些材料层。用于形成集成电路的基板可以是硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其他合适的材料。

在集成电路的制造中，等离子体工艺通常用于各种材料层的沉积或蚀刻。与热处理相比，等离子体处理具有许多优点。例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)允许沉积工艺在比类似的热处理中可实现的温度更低的温度下且以比类似的热处理中可实现的沉积速率更高的沉积速率进行。因此，PECVD对于具有严格热预算的集成电路制造是有利的，例如针对超大型集成电路或极大型集成电路(VLSI或ULSI)器件制造。

常规的PECVD配置使用远程等离子体系统(RPS)发生器以从腔室外部生成自由基。在RPS发生器中形成的自由基是之后被输送并分布在基板上方的等离子体。然而，由于从RPS发生器到基板上方区域的输送路径很长，因此有很高的复合率(recombination rate)，这导致了腔室与腔室间的差异。

因此，需要一种改进的PECVD腔室。

发明内容

本文公开的实施总的来说涉及等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化(seasoning)系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通(in communication with)。远程等离子体清洁系统经配置而对处理区域和等离子体场进行清洁。

在另一个实施中，本文公开了陈化处理腔室的方法。陈化处理腔室的第一区域。在处理腔室中产生等离子体。陈化处理腔室的第二区域。

在另一个实施中，本文公开了一种对处理系统进行清洁的方法。在远程等离子体系统中产生等离子体。等离子体被引导到远程等离子体系统的上部分流歧管(splitmanifold)。对处理腔室的第一区域进行清洁。在对处理腔室的第一区域进行清洁之后，对处理腔室的第二区域进行清洁。等离子体从上部分流歧管引导至远程等离子体系统的下部分流歧管。

附图说明

以更详细地了解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施来对已简要概述于前的本公开进行更具体的描述，所述实施中的一些实施在附图中示出。然而，值得注意的是，附图仅示出了本公开的典型实施，且由于本公开可允许其他等效的实施例因此附图并不被视为对于本公开的范围的限制。

图1是根据一个实施的等离子体系统的示意性截面图。

图2是根据一个实施的图1的等离子体系统的选择性调节设备的部分顶视图。

图3是根据一个实施的图1的等离子体系统的喷头的部分底视图。

图4是根据一个实施具有腔室陈化系统的图1的处理系统的简化视图。

图5是示出陈化处理腔室(诸如图1的等离子体系统)的方法的流程图。

图6是根据一个实施具有远程等离子体系统的图1的处理系统的简化视图。

图7是示出清洁处理腔室(诸如图1的等离子体系统)的方法的流程图。