[发明专利]半导体纳米材料

权利要求书

1.用于合成III-V半导体纳米材料的方法，其中所述方法包括以下步骤，

(a)同时或各自单独地提供III-V半导体纳米簇和第一配体，

或包含第二配体的III-V半导体纳米簇，其中相对于III-V半导体纳米簇的总重量，所述第二配体的含量在40％至80％重量的范围内，更优选在50％至70％重量的范围内，甚至更优选55％至65％重量，

至另一种化合物或另一种化合物的混合物中，以得到反应混合物，

(b)将步骤(a)中获得的反应混合物的温度调节或保持在250℃至500℃的范围内，优选温度在280℃至450℃的范围内，更优选其为300℃至400℃，进一步更优选为320℃至380℃，以允许在混合物中产生和生长III-V半导体纳米材料,

(c)冷却反应混合物以停止步骤(b)中所述的III-V半导体纳米材料的生长。

2.根据权利要求1的方法，其中所述另一种化合物是溶剂。

3.根据权利要求1或2的方法，其中相对于在步骤(a)中获得的反应混合物的总浓度，在步骤(a)中添加的配体的浓度比所述III-V族半导体纳米簇的浓度大。

4.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中在步骤(a)中与第一配体提供的III-V半导体纳米簇包含第三配体，其中所述第三配体的含量在40％至80％重量的范围内，更优选在50％至70％重量的范围内，甚至更优选为55％至65％重量,相对于III-V半导体纳米簇的总重量。

5.根据权利要求1至4中任一项的方法，其中所述第一配体选自由羧酸，金属羧酸盐配体，膦，膦酸，金属膦酸盐，胺，季羧酸铵盐，金属膦酸盐和金属卤化物组成的组中的一种或多种成员，优选为肉豆蔻酸，月桂酸，硬脂酸盐，油酸盐，肉豆蔻酸盐，月桂酸盐，苯基醋酸肉豆蔻酸铟，或乙酸铟。

6.根据权利要求1至5中任一项的方法，其中所述另一种化合物是具有250℃或更大的沸点的溶剂，优选地沸点在250℃至500℃的范围内，更优选其为300℃至480℃，进一步优选为350℃至450℃，进一步更优选为370℃至430℃。

7.根据权利要求1至6中任一项的方法，其中所述另一种化合物是选自由角鲨烯，角鲨烷，十七烷，十八烷，十八烯，十九烷，二十烷，二十一烷，二十二烷，二十三烷，二十五烷，二十六烷，二十八烷，二十九烷，三十烷，三十一烷，三十二烷，三十三烷，三十四烷，三十五烷，三十六烷，油胺和三辛胺组成的组的一个或多个成员的溶剂，优选为角鲨烯，角鲨烷，十七烷，十八烷，十八烯，十九烷，二十烷，二十一烷，二十二烷，二十三烷，二十五烷，二十六烷，二十八烷，二十九烷，三十烷，三十一烷，三十二烷，三十三烷，三十四烷，三十五烷，三十六烷，油胺和三辛胺，更优选为角鲨烷，二十五烷，二十六烷，二十八烷，二十九烷，或三十烷，甚至更优选为角鲨烷，二十五烷，或二十六烷。

8.根据权利要求1至7中任一项的方法，其中，相对于反应混合物的总重量，步骤(a)中添加的配体的总量在0.2至50％重量的范围内，优选为0.3至50％重量，更优选为1-50％重量，甚至更优选1-25％重量，进一步更优选5-25％重量。

9.根据权利要求1至8中任一项的方法，其中在步骤(b)中的反应混合物的温度在温度范围内保持从1秒到15分钟，更优选1秒至14分钟，甚至更优选10秒至12分钟，进一步更优选10秒至10分钟，甚至更优选10秒至5分钟，最优选10秒至120秒。

10.根据权利要求1至9中任一项的方法，其中所述III-V半导体纳米簇的无机部分的总量在反应混合物的0.1×10^-4至1×10^-3mol％的范围内，优选的量在0.5×10^-4至5×10^-4mol％的范围内，更优选1×10^-4至3×10^-4mol％。