[发明专利]半导体纳米材料在审
| 申请号： | 201880010816.9 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110352229A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | D·莫卡塔;A·霍尔茨曼;N·利迪希;Y·尼森霍尔茨 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C01B25/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体纳米材料 合成半导体 | ||
本发明涉及合成半导体材料的方法。
发明领域
本发明涉及合成III-V半导体纳米材料的方法，由该方法可获得或获得的多种III-V半导体纳米材料，半导体发光纳米材料，包含半导体发光纳米材料的组合物，包含半导体发光纳米材料的光学介质，和包含光学介质的光学器件。
背景技术
用于合成半导体纳米材料的几种方法在现有技术中是已知的。
例如，X.Yang et al.,Adv.Mater.,2012,24,4180,L.Li&P.Reiss,JACS,2008,130,1589,M.Tessier,Chem.Mater.,2015,27,4893,US 7964278B2,US 8343576B2,US2010/0123155A1,D.Gary et al.,Chem.Mater.2015,27,1432-1441中所描述的。
1.US 7964278 B2
2.US 8343576 B2，
3.US2010/0123155A1
4.X.Yang et al.,Adv.Mater.,2012,24,4180,
5.L.Li&P.Reiss,JACS,2008,130,1589,
6.M.Tessier,Chem.Mater.,2015,27,4893,
7.D.Gary et al.,Chem.Mater.2015,27,1432-1441,
然而，本发明新发现仍然存在一个或多个需要改进的相当大的问题，如下所列。
1.需要一种合成III-V半导体纳米材料而不直接使用高反应性三(三甲基甲硅烷基)膦的新方法。
2.需要一种合成III-V半导体纳米材料的新方法，其可以生产具有改进尺寸分布的III-V半导体纳米材料。
3.需要一种合成III-V半导体纳米材料而不直接使用高反应性三(三甲基甲硅烷基)膦的新方法，在该方法上可控制粒径在较大范围内，使得可以产生具有改进的尺寸分布的绿色和/或红色III-V半导体纳米材料。
4.需要一种新的半导体发光纳米材料，其能够发射具有更好的半高全宽(FWHM)的光。
5.需要一种新的半导体发光纳米材料，其能够显示出改进的量子产率。
6.需要一种光学显示器件，其光学活性组分是半导体发光纳米材料，其提供改善的色纯度和色域。
发明人旨在解决上述问题1至6中的一个或多个。
发现一种用于合成III-V半导体纳米材料的新方法，其中所述方法包括以下步骤，
(a)同时或各自单独地提供III-V半导体纳米簇和第一配体，
或包含第二配体的III-V半导体纳米簇，其中相对于III-V半导体纳米簇的总重量，所述第二配体的含量在40％至80％重量的范围内，更优选在50％至70％重量的范围内，甚至更优选55％至65％重量，
至另一种化合物或另一种化合物的混合物中，以得到反应混合物，
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