[发明专利]晶片几何系统中的透明膜误差校正图案

权利要求书

1.一种晶片几何测量方法，其包括：

利用晶片几何测量工具来获得三维NAND结构的几何测量；及

使用一或多个处理器应用多层堆叠校正模型来校正由所述晶片几何测量工具从所述三维NAND结构获得的所述几何测量，其中所述多层堆叠校正模型包括表示真实厚度与测量厚度之间的相关性的模拟校正曲线，其中所述多层堆叠校正模型经配置以基于从透明膜测量的反射率及相位变化信息来校正由位于所述三维NAND结构上的所述透明膜引起的构形数据中的一或多个测量误差；及

基于经校正的所述几何测量，将一个或多个控制信号提供给半导体制造设备中的一个或多个过程工具。

2.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来获得所述校正模型。

3.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于所述晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来获得所述校正模型。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正模型进一步考虑具有反射率信息的晶片图。

5.根据权利要求4所述的方法，其中利用从多个晶片表面位置收集空间信息的单个波长干涉仪来获得具有反射率信息的所述晶片图。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正曲线支持包绕及展开。

7.一种晶片几何测量方法，其包括：

至少部分基于晶片的设计以及所述晶片的三维NAND结构的已知物理及光学性质来生成多层堆叠校正模型，其中所述多层堆叠校正模型包括表示真实厚度与测量厚度之间的相关性的模拟校正曲线；

利用晶片几何测量工具来获得所述晶片的几何测量；

应用所述校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片的所述三维NAND结构上的透明膜引起的构形数据中的测量误差；及

基于经校正的所述几何测量，将一个或多个控制信号提供给半导体制造设备中的一个或多个过程工具。

8.根据权利要求7所述的方法，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来生成所述校正模型。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述校正模型进一步考虑具有反射率信息的晶片图。

10.根据权利要求9所述的方法，其中利用从多个晶片表面位置收集空间信息的单个波长干涉仪来获得具有反射率信息的所述晶片图。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述校正曲线支持包绕及展开。

12.一种晶片几何测量系统，其包括：

一或多个晶片几何测量工具，其经配置以获得晶片的三维NAND结构的几何测量；及

一或多个处理器，其与所述一或多个晶片几何测量工具通信，所述一或多个处理器经配置以：

应用多层堆叠校正模型来校正由所述晶片几何测量工具从所述三维NAND结构获得的所述几何测量，其中所述多层堆叠校正模型包括表示真实厚度与测量厚度之间的相关性的模拟校正曲线，其中所述多层堆叠校正模型经配置以基于从透明膜测量的反射率及相位变化信息来校正由位于所述三维NAND结构上的所述透明膜引起的构形数据中的一或多个测量误差；及

基于经校正的所述几何测量，将一个或多个控制信号提供给半导体制造设备中的一个或多个过程工具。

13.根据权利要求12所述的系统，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来获得所述校正模型。