[发明专利]晶片几何系统中的透明膜误差校正图案

说明书

一种系统包含一或多个晶片几何测量工具，所述一或多个晶片几何测量工具经配置以从晶片获得几何测量。所述系统还包含一或多个处理器，所述一或多个处理器与所述一或多个晶片几何测量工具通信。所述一或多个处理器经配置以应用校正模型来校正由所述一或多个晶片几何测量工具获得的所述几何测量。所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35 U.S.C.§119(e)规定主张2017年1月9日申请的第62/443,815号美国临时申请案的权利。所述第62/443,815号美国临时申请案的全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及检验及计量的领域，且特定来说，涉及包含透明膜的半导体装置的检验及计量的领域。

背景技术

薄抛光板(例如硅晶片等)是现代技术的非常重要部分。例如，晶片可指用于制造集成电路及其它装置中的半导体材料的薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规等。尽管本文所描述的技术主要涉及晶片，但应了解，所述技术也适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本发明中可互换使用。

晶片经受缺陷检验以及计量测量以确保恰当制造良率。预期用来执行此类检验及计量过程的工具是有效且高效的。从晶片获取的关键计量包含但不限于膜厚度及晶片构形。虽然基于点对点椭偏仪的技术提供亚纳米膜厚度的准确度，但如果晶片表面含有透明膜，那么基于全晶片光学干涉测量术的几何工具可能会表现不佳。例如，图案晶片几何(PWG)系统包含双侧相移斐索(Fizeau)干涉仪及错位干涉仪。此PWG系统可用来同时测量晶片的前表面及后表面。然而，当在晶片表面上存在透明膜时(所述透明膜尤其常见于晶片的前侧上)，从晶片获得的PWG测量可能含有由于光穿透到膜中所致的误差。

一种减小这个误差的解决方案是将保形/不透明膜沉积在透明膜上以实现构形测量。这种解决方案要求用户修改工艺流程且可因此仅在工程设计阶段期间而非在大批量生产中应用。因而，期望提供一种用于透明膜误差校正的方法及系统。

发明内容

揭示一种根据本发明的一或多个实施例的方法。在一个实施例中，所述方法包含利用晶片几何测量工具来获得晶片的几何测量。在另一实施例中，所述方法包含应用校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

揭示一种根据本发明的一或多个替代实施例的方法。在一个实施例中，所述方法包含至少部分基于晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来生成校正模型。在另一实施例中，所述方法包含利用晶片几何测量工具来获得所述晶片的几何测量。在另一实施例中，所述方法包含应用所述校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

揭示一种根据本发明的一或多个替代实施例的系统。在一个实施例中，所述系统包含一或多个晶片几何测量工具，所述一或多个晶片几何测量工具经配置以获得晶片的几何测量。在另一实施例中，所述系统包含一或多个处理器，所述一或多个处理器与所述一或多个晶片几何测量工具通信。在另一实施例中，所述一或多个处理器经配置以应用校正模型来校正由所述一或多个晶片几何测量工具获得的所述几何测量。在另一实施例中，所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

应了解，前文发明内容及下文具体实施方式两者仅为实例性及解释性的且不一定限制本发明。并入说明书中且构成说明书的部分的附图说明本发明的标的物。所述描述及附图一起用来解释本发明的原理。

附图说明

所属领域技术人员可参考附图更好地了解本发明的众多优点，其中：

图1是描绘根据本发明的一或多个实施例的由电介质光传播引起的透明膜误差的说明。