[发明专利]存储器裸片区域的高效利用在审
申请号: | 201880011856.5 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN110291641A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | C·V·A·劳伦特 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/11502;H01L27/11585;H01L43/08;H01L45/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 解码器 存储器单元 存储器块 高效利用 衬底 列线 交叉点存储器 存储器裸片 存储器阵列 存储器装置 感测放大器 系统及设备 存储器 源存储器 支持电路 支持组件 边界处 存取线 可定位 省略 截断 裸片 行线 存取 架构 邻近 配置 | ||
1.一种电子存储器装置,其包括:
衬底层,其包括核心部分、界限部分及控制电路部分,其中所述核心部分包含具有第一配置的第一多个解码器,所述界限部分包含具有与所述第一配置不同的第二配置的第二多个解码器,且所述控制电路部分不包含解码器;及
存储器单元阵列,其与所述衬底层的所述核心部分及与所述界限部分的至少一部分重叠,其中所述阵列的存储器单元经由多个存取线与所述第一多个解码器及所述第二多个解码器耦合。
2.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述第二多个解码器包含多个列解码器。
3.根据权利要求2所述的装置,其中:
所述列解码器与所述阵列的与所述界限部分重叠的存储器单元相关联。
4.根据权利要求2所述的装置,其中:
所述第二多个解码器包含多个行解码器。
5.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
所述第一多个解码器中的至少一个解码器与所述存储器单元阵列的与所述界限部分重叠的存储器单元耦合。
6.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
所述第二多个解码器中的至少一个解码器与所述阵列的与所述界限部分重叠的存储器单元耦合。
7.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述衬底层的所述核心部分包括各自包含共同组件配置的多个区段。
8.根据权利要求7所述的装置,其中:
所述界限部分包括多个区段,所述多个区段各自包含与所述界限部分的其它区段相同的配置,其中所述界限部分的所述区段具有与所述核心部分的所述区段不同的配置。
9.根据权利要求8所述的装置,其进一步包括:
所述核心部分的每一区段由第一方向上的第一尺寸及第二方向上的第二尺寸界定,所述第二方向正交于所述第一方向;且
所述界限部分的每一区段由所述第一方向上的第三尺寸及所述第二方向上的第四尺寸界定,其中所述第三尺寸小于所述第一尺寸且所述第四尺寸等于所述第二尺寸。
10.根据权利要求8所述的装置,其进一步包括:
所述界限部分的至少一个区段包含第一数目个解码器,所述第一数目个解码器少于所述核心部分的至少一个区段中所包含的第二数目个解码器。
11.根据权利要求10所述的装置,其中:
所述第一数目个解码器少于所述第二数目个解码器的一半。
12.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述存储器单元阵列包含至少两个存储器单元层面,第一存储器单元层面定位于所述核心部分及所述界限部分上方,且第二存储器单元层面定位于所述第一存储器单元层面上方。
13.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述核心部分及所述界限部分包括阵列下CMOS CuA。
14.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述控制电路部分不包含行解码器及列解码器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的