[发明专利]存储器裸片区域的高效利用

说明书

本发明描述支持交叉点存储器架构的裸片区域的高效利用的方法、系统及设备。存储器阵列可包含上覆于衬底的每一部分上的有源存储器单元，所述衬底包含特定类型的支持电路，例如解码器及感测放大器。界限块可定位于存储器块阵列的一侧上，所述界限块可为阵列的部分、具有与所述阵列的其它部分不同的配置。所述界限块可包含用以存取邻近存储器块的存储器单元及上覆于所述界限块上的存储器单元两者的支持组件。列线及列线解码器可被集成为界限块的一部分。例如行线等存取线可在存储器装置的存储器部分的边界处或在边界附近被截断或省略。

交叉参考

本专利申请案主张劳伦(Laurent)的第15/434,395号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案标题为“存储器裸片区域的高效利用(Efficient Utilization ofMemory Die Area)”、于2017年2月16日提出申请、受让于本申请案的受让人。

背景技术

以下内容一般来说涉及存储器装置，且更明确地说涉及用于三维交叉点架构的裸片区域的高效利用。

在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等)中广泛地使用存储器装置来存储信息。信息是通过编程存储器装置的不同状态而存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储两种以上状态。为存取所存储信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电子装置可对存储器装置中的状态进行撰写或编程。

存在多种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它存储器。存储器装置可为易失性或非易失性的。即使在缺少外部电源的情况下，非易失性存储器(例如，FeRAM及PCM)也可维持其所存储逻辑状态达延长的时间周期。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间失去其所存储状态，除非易失性存储器装置通过外部电源而周期性地刷新。改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、增大读取/写入速度、增大可靠性、增大数据存留期、减小电力消耗或减小制造成本以及其它度量。

FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但由于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性性质。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有经改进性能。与其它存储器装置相比，PCM或基于硫属化物材料的存储器可为非易失性的且可提供经改进读取/写入速度及持久性。PCM或基于硫属化物材料的存储器还可提供经增大存储器单元密度能力。举例来说，采用FeRAM、PCM或基于硫属化物材料的存储器的三维存储器阵列可为可能的。然而，在一些三维架构中，存储器装置的若干区可专门用于支持电路且可不包含存储器单元。这些区域可增大存储器装置的物理尺寸而不增大存储器装置的容量。

附图说明

在本文中本发明参考且包含下图：

图1图解说明根据本发明的实施例的支持交叉点架构的裸片区域的高效利用的存储器装置的实例。

图2图解说明根据本发明的实施例的支持交叉点架构的裸片区域的高效利用的具有三维存储器单元阵列的存储器装置的实例。

图3图解说明根据本发明的实施例的支持交叉点架构的裸片区域的高效利用的存储器阵列的实例。

图4图解说明根据本发明的实施例的支持交叉点架构的裸片区域的高效利用的存储器装置的实例。

图5图解说明图4的存储器装置沿着线5-5的横截面的实例。

图6图解说明根据本发明的实施例的支持交叉点架构的裸片区域的高效利用的存储器块配置的实例。

图7图解说明根据本发明的实施例的支持交叉点架构的裸片区域的高效利用的含记忆时间群组的存储器块的实例。