[发明专利]用于制造三维存储结构的方法、三维存储结构、三维存储器件和电子设备

权利要求书

1.一种用于制造三维(3D)存储结构的方法，包括：

在衬底上形成凹陷；

形成3D存储部件，所述3D存储部件具有位于所述凹陷中的底部；以及

在所述衬底上并在所述凹陷外部形成外围电路。

2.根据权利要求1所述的用于制造3D存储结构的方法，其中，形成所述凹陷包括：

通过使用蚀刻工艺蚀刻所述衬底以形成所述凹陷，其中，所述凹陷的深度大于或等于所述3D存储部件的厚度。

3.根据权利要求1所述的用于制造3D存储结构的方法，其中，形成所述3D存储部件包括：

形成交替电介质堆叠层，其中，所述交替电介质堆叠层包括多个第一电介质层以及不同于所述第一电介质层的多个第二电介质层，并且每个第一电介质层和每个第二电介质层交替堆叠；以及

穿过所述交替电介质堆叠层形成多个NAND串。

4.根据权利要求3所述的用于制造3D存储结构的方法，其中，在形成所述交替电介质堆叠层和形成所述NAND串之间，所述方法还包括：

完全在所述交替电介质堆叠层上形成第一绝缘层；以及

使所述第一绝缘层完全平面化，其中，所述NAND串延伸穿过所述第一绝缘层。

5.根据权利要求3所述的用于制造3D存储结构的方法，其中，在形成所述NAND串和形成所述外围电路之间，所述方法还包括：

分别利用多个导体层替换所述第二电介质层，以形成交替导体/电介质堆叠层。

6.根据权利要求4所述的用于制造3D存储结构的方法，还包括在形成所述外围电路之后形成穿过所述第一绝缘层的多个字线触点。

7.根据权利要求1所述的用于制造3D存储结构的方法，其中，在形成所述外围电路之后，所述方法还包括：

完全在所述外围电路和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

使所述第二绝缘层完全平面化；以及

在所述第二绝缘层上形成金属连接层。

8.根据权利要求7所述的用于制造3D存储结构的方法，其中，在使所述第二绝缘层平面化和形成所述金属连接层之间，所述方法还包括：

在所述第二绝缘层上形成互连层，其中，所述外围电路通过所述金属连接层电连接至所述3D存储部件。

9.一种3D存储结构，包括：

具有凹陷的衬底；

3D存储部件，其具有设置在所述衬底的所述凹陷中的底部；以及

外围电路，其设置在所述衬底上并在所述凹陷外部。

10.根据权利要求9所述的3D存储结构，其中，所述凹陷的深度大于或者等于所述3D存储部件的厚度。

11.根据权利要求9所述的3D存储结构，其中，所述3D存储部件包括：

交替导体/电介质堆叠层，其包括多个电介质层和多个导体层，并且每个电介质层和每个导体层交替堆叠；以及

穿过所述交替导体/电介质堆叠层的多个NAND串。

12.根据权利要求11所述的3D存储结构，还包括设置在所述交替导体/电介质堆叠层上的第一绝缘层，其中，所述NAND串延伸穿过所述第一绝缘层。

13.根据权利要求9所述的3D存储结构，还包括第二绝缘层和金属连接层，其中，所述第二绝缘层设置在所述外围电路和所述3D存储部件上，所述金属连接层设置在所述第二绝缘层上，并且所述外围电路通过所述金属连接层电连接至所述3D存储部件。

14.根据权利要求9所述的3D存储结构，还包括设置在所述第二绝缘层和所述金属连接层之间的互连层。

15.一种3D存储器件，包括根据权利要求9所述的3D存储结构。

16.一种电子设备，包括根据权利要求15所述的3D存储器件。