[发明专利]用于制造三维存储结构的方法、三维存储结构、三维存储器件和电子设备

说明书

公开了用于制造三维(3D)存储结构的方法和3D存储结构。在衬底上形成凹陷，形成底部处于所述凹陷中的3D存储部件，并且然后在所述衬底上并在所述凹陷外部形成外围电路。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年11月23日提交的中国专利申请No.201711184313.7的优先权，通过引用将该中国专利申请的全文并入本文。

技术领域

本发明涉及用于制造三维(3D)存储结构的方法、3D存储结构、3D存储器件和电子设备。

背景技术

随着对集成和存储容量的需求的不断提高，存储技术不断发展。当二维平面存储器的尺寸缩小到超过十纳米水平(例如，16nm、15nm乃至14nm)时，每个存储单元变得非常微小，可能只有几个电子存储在每个存储单元中，使得每个单元的控制电子的能力变弱并且容易出现串扰问题。因而，减小存储单元的尺寸是困难的且成本高。为此，开发了三维(3D)存储结构，所述存储结构是通过基于平面存储结构对存储单元进行堆叠而实现的。

3D存储结构中的核心元件主要由形成于同一衬底上的存储部件和外围电路构成。参考图1，其示意性地示出了常规3D存储结构1。由于存储部件2和外围电路3具有不同结构，尤其是它们具有极大不同的厚度，因而它们必须单独制作。然而，存储部件2和外围电路3形成于同一衬底4上，因而在常规技术中，外围电路3在存储部件2形成之前形成于衬底4上。由于存储部件2的形成需要很多高温工艺，因而外围电路中的器件的电特性受到高温工艺的不利影响，由此降低了产品成品率。

结果，需要有效地提升外围电路中的器件的电特性以及产品成品率的3D存储结构的制造方法。

发明内容

本文公开了用于制造三维(3D)存储结构的方法、3D存储结构、3D存储器件和电子设备的实施例。

根据本发明的一些实施例，公开了一种用于制造三维(3D)存储结构的方法。在衬底上形成凹陷，形成底部位于凹陷中的3D存储部件，并且然后在凹陷外部在所述衬底上形成外围电路。

根据本发明的一些实施例，一种3D存储结构包括衬底、3D存储部件和外围电路。所述衬底具有凹陷，所述3D存储部件具有设置在所述衬底的凹陷中的底部，并且所述外围电路设置在所述衬底上、处于所述凹陷外部。

对于本领域普通技术人员而言，在阅读了通过各附图和绘图例示的优选实施例的以下详细描述之后，本发明的这些和其它目标无疑将变得显而易见。

附图说明

图1示意性地示出了常规3D存储结构。

图2示出了根据本发明的一些实施例的用于制造3D存储结构的示例性方法的流程图。

图3-8示意性地示出了图2所示的方法的某些制作步骤处的示例性3D存储结构的截面图。

具体实施方式

尽管讨论了具体配置和布置，但是应当理解，这只是出于示例性目的而进行的。相关领域中的技术人员将认识到，可以使用其它配置和布置而不脱离本公开的精神和范围。对相关领域的技术人员显而易见的是，本公开还可以用于多种其它应用中。

要指出的是，在说明书中提到“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等指示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这种短语未必是指同一个实施例。另外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合其它实施例(无论是否明确描述)实现这种特征、结构或特性应在相关领域技术人员的知识范围内。