[发明专利]电子半导体器件，电子半导体器件的制备方法和化合物

权利要求书

1.一种电子器件，其包括在第一电极与第二电极之间的至少一个第一半导体层，所述第一半导体层包含：

(i)至少一种第一空穴传输基质化合物，其由共价键合的原子组成，和

(ii)至少一种选自金属硼酸盐络合物的p型电掺杂剂，其中所述金属硼酸盐络合物由至少一个金属阳离子和至少一个阴离子配体组成，所述阴离子配体由至少六个共价键合的原子组成，所述原子包含至少一个硼原子，

其中所述第一半导体层是空穴注入层，电荷产生层或空穴传输层的空穴注入部分。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其还包括在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个发光层或至少一个光吸收层，其中所述第一电极是阳极并且所述第一半导体层布置在所述阳极与所述发光层之间或者在所述阳极与所述光吸收层之间。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述第一半导体层与所述阳极相邻。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述阴离子配体由至少7个共价键合的原子组成。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述金属硼酸盐络合物具有式(I)

其中M为金属离子，A¹-A⁴中的每一个独立地选自

(i)H，

(ii)F，

(iii)CN，

(iv)C₆-C₆₀芳基，

(v)C₇-C₆₀芳基烷基，

(vi)C₁-C₆₀烷基，

(vii)C₂-C₆₀烯基，

(viii)C₂-C₆₀炔基，

(ix)C₃-C₆₀环烷基，和

(x)C₂-C₆₀杂芳基；

其中，条件是含碳基团中的碳原子总数将不超过60，选自(iv)、(v)、(vi)、(vii)、(viii)、(ix)和(x)的任何含碳基团中的任何氢原子可被独立地选自F、Cl、Br、I、CN、未被取代的或卤化的烷基、未被取代的或卤化的(杂)芳基、未被取代的或卤化的(杂)芳基烷基、未被取代的或卤化的烷基磺酰基、未被取代的或卤化的(杂)芳基磺酰基、未被取代的或卤化的(杂)芳基烷基磺酰基、未被取代的或卤化的含硼烃基、未被取代的或卤化的含硅烃基的取代基代替；

n是所述金属离子的化合价；并且

A¹-A⁴中的至少一个是F，CN或吸电子碳基团，

其中所述吸电子碳基团是选自烃基、含硼烃基、含硅烃基和杂芳基的碳基团，并且其氢原子的至少一半被F、Cl、Br、I和/或CN代替。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中M选自碱金属，碱土金属，稀土金属，除银之外的过渡金属、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi或其混合物并且n为1、2或3。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述p型电掺杂剂的通过标准量子化学方法计算并以绝对真空标度表示的其最低未占分子轨道的能级，没有通过标准量子化学方法计算的所述第一空穴传输基质化合物的最高占据轨道的能级那么负，差值为至少0.5eV。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一空穴传输基质化合物的通过标准量子化学方法计算并以绝对真空标度表示的其最高占据分子轨道的能级，比-3.0eV更负。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中在所述第一半导体层中，所述p型电掺杂剂和所述第一空穴传输基质化合物形成两个相邻的子层。

10.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一空穴传输基质化合物是有机化合物。