[发明专利]电子半导体器件，电子半导体器件的制备方法和化合物

说明书

本发明涉及一种电子器件，其包括在第一电极与第二电极之间的至少一个第一半导体层，所述第一半导体层包括：(i)至少一种第一空穴传输基质化合物，其由共价键合的原子组成，和(ii)至少一种选自金属硼酸盐络合物的p型电掺杂剂，其中所述金属硼酸盐络合物由至少一个金属阳离子和至少一个阴离子配体组成，所述阴离子配体由至少六个共价键合的原子组成，所述原子包含至少一个硼原子，其中所述第一半导体层是空穴注入层，电荷产生层或空穴传输层的空穴注入部分，其制备方法和相应的金属硼酸盐化合物。

技术领域

本公开涉及在空穴注入和/或空穴传输层中包含非氧化p型掺杂剂的电子半导体器件，电子半导体器件的制备方法和化合物。

背景技术

已经利用有机半导体材料的广泛的现有技术电子器件通常对特定类别的材料设定非常不同的要求，所述材料在看上去相似的器件中必须满足类似功能，例如空穴注入和/或空穴传输。作为一个更具体的实例，例如，如果OLED将用作用于照明的单个非结构化OLED，或者用作包括多个OLED像素的复杂显示装置中的一个像素，那么适用于空穴传输层的材料的定义可以是显著不同的。从化学角度来看，用一种结构类别的材料满足这些各种要求可能会相当不容易。这一事实导致必须并行研究和开发许多在结构上不同的材料类别；在这些情况下，商业成功不仅在经济上而且在技术上和科学上都是具挑战性的任务。因此，在广泛的各种特定应用中具有高度通用性的任何材料类别都可能成为宝贵的资产。

在某些情况下，即使对于同一装置中包含的材料，也可能对具有特定功能的材料提出矛盾性要求。一个典型实例可以是有源矩阵OLED显示器(AMOLED)。在包括共享公共空穴传输层的多个OLED像素的有源OLED显示器中，对布置在阳极与发光层之间并由多个像素共享的层中使用的半导体材料提出挑战性要求。一方面，所述材料应能够在尽可能低的工作电压下单独驱动各个像素。另一方面，应该避免相邻像素之间的所谓的电串扰。通过引用并入本文的申请WO2016/050834教导了这些矛盾性要求可以通过电导率在1×10^-3S·m^-1至1×10^-8S·m^-1、最优选1×10^-5S·m^-1至1×10^-6S·m^-1范围内的p型掺杂层来实现。这种低电导率p型掺杂的空穴传输层，可通过在深HOMO能级方面难以掺杂的基质中使用通常的现有技术氧化还原掺杂剂如强电子接受的轴烯化合物来实现。然而，满足这些标准并且在其它参数方面例如从可加工性和器件稳定性的角度来看，仍然需要有所改进的p型掺杂剂。

WO 2013/052096 A1公开了用于空穴注入和传输层的掺杂方法及其在有机电子器件如OLED中的用途。

Nuria等,《道尔顿汇刊》(Dalton Transactions),2014,43,10114-10119公开了高度氟化的氢化三(吲唑基)硼酸钙络合物并报道了其结构和反应性。

发明内容

一个目的是提供各种现有技术的电子器件，其包括基于一类广泛的p型掺杂剂的p型电掺杂空穴注入和/或空穴传输层。

另一个目的是在广泛的p型掺杂剂类别中，提供在器件中使用时具有高度通用性的特定化合物。各种器件应包括简单器件以及改进的有源OLED显示器。在一个方面，包含新的p型掺杂剂的简单器件的性能应与包括现有技术的p型掺杂剂的类似简单器件完全相当，或者更好。在另一方面，新的p型掺杂剂应克服复杂器件如AMOLED显示器中的现有技术掺杂剂的一些缺点。在一个方面，应当减少有源OLED显示器的相邻像素之间的电串扰。在另一方面，应当能够在简单器件中以及在复杂显示装置的各个OLED像素中实现高性能。在另一方面，改进的材料应该能够实现稳健的器件制造，例如在包括在升高的温度下处理器件或其特定层的任何加工步骤期间改进的器件稳定性方面。

所述目的通过一种电子器件实现，所述电子器件包括在第一电极与第二电极之间的至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包括