[发明专利]图案描绘装置、及图案描绘方法有效
申请号: | 201880012599.7 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN110325922B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 铃木智也;石垣雄大 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B41J2/47;G02B26/10;H04N1/113 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 周晓飞;许曼 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 描绘 装置 方法 | ||
1.一种图案描绘方法,一边通过扫描构件将根据待描绘图案而被ON或OFF调变的描绘射束在基板上一维扫描于主扫描方向,一边使前述描绘射束与前述基板相对地移动于与前述主扫描方向交叉的副扫描方向以将图案描绘于前述基板上,其包含:
将待描绘于前述基板上的前述图案分解成前述主扫描方向与前述副扫描方向的二维像素的排列时,将表示前述描绘射束的ON状态与OFF状态的描绘数据以前述像素的单位加以存储于存储部的动作;
测量在前述描绘射束于前述主扫描方向至少扫描一次的期间加算了光电信号的实际积分值的动作,该光电信号,是从接收射入前述扫描构件前的前述描绘射束的至少一部分的光电传感器,与前述描绘射束在ON状态下的强度对应地输出;以及
根据前述描绘射束在ON状态时应设定的适当强度、以及依据排列于前述主扫描方向的全像素数中的设定为ON状态的像素数的积而预先决定的目标积分值与前述实际积分值的差,调整前述描绘射束在ON状态下的强度的动作。
2.如权利要求1所述的图案描绘方法,其中,前述描绘射束,是在和与前述主扫描方向的扫描同步地从前述存储部依序输出的前述像素对应的前述描绘数据表示ON状态时,以振荡频率Fa脉冲发光,且将发光时间较前述振荡频率Fa的周期Tf短的紫外波长区的脉冲光。
3.如权利要求2所述的图案描绘方法,其中,前述扫描构件,是以具有Np个反射面而以既定旋转速度VR(rpm)旋转的多边形镜构成;
在将投射于前述基板的前述描绘射束所形成的点光的尺寸设为将为了前述像素的描绘而设定的前述描绘射束的每1像素的脉冲光的数目设为Nsp,将前述描绘射束在前述基板上的扫描长设为LT,将前述多边形镜的1个反射面的扫描效率设为1/α时,是以满足的关系的方式,调整前述振荡频率Fa或前述旋转速度VR。
4.如权利要求3所述的图案描绘方法,其中,前述光电传感器,配置于在前述描绘射束射入前述扫描构件前的光路中反射前述描绘射束的反射镜的背侧,接收透射前述反射镜的漏光成分。
5.如权利要求1~4中任一项所述的图案描绘方法,其中,预先执行测试曝光,以求出排列于前述主扫描方向的前述全像素数中设定为ON状态的像素数的比例亦即描绘密度与对应该描绘密度而应得到的前述目标积分值的对应关系的信息。
6.如权利要求5所述的图案描绘方法,其中,其包含:在前述测试曝光时,包含将前述描绘密度互异的测试曝光用描绘数据排列于前述副扫描方向的测试图案描绘于前述基板的动作。
7.如权利要求2~4中任一项所述的图案描绘方法,其中,前述光电传感器是PIN光二极管、雪崩光二极管、或金属-半导体-金属光二极管。
8.一种图案描绘装置,其将根据图案而调变强度的点光通过扫描构件在基板上扫描于主扫描方向的第1描绘单元与第2描绘单元,排列于前述主扫描方向或与前述主扫描方向交叉的副扫描方向,使前述基板移动于前述副扫描方向以将图案描绘于前述基板上,其具备:
光源装置,产生作为前述点光的射束;
射束切换部,包含:第1选择用光学元件,使来自前述光源装置的前述射束通过,且在将前述射束供给至前述第1描绘单元时以电性控制使前述射束的光路偏向;以及第2选择用光学元件,使通过前述第1选择用光学元件的来自前述光源装置的前述射束通过,且在将前述射束供给至前述第2描绘单元时以电性控制使前述射束的光路偏向;
第1光学系统,用以将与从前述第1描绘单元投射至前述基板的前述射束所形成的点光光学上共轭的第1聚光位置,形成于前述光源装置与前述第1选择用光学元件间的光路中;
第2光学系统,用以将与从前述第2描绘单元投射至前述基板的前述射束所形成的点光光学上共轭且亦与前述第1聚光位置共轭的第2聚光位置,形成于前述第1选择用光学元件与前述第2选择用光学元件间的光路中;以及
调整构件,为了调整前述点光的聚焦状态,使前述第1聚光位置位移于沿着前述光路的方向。
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