[发明专利]绝缘基体、半导体封装以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201880013156.X 申请日: 2018-02-14
公开(公告)号: CN110337718B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 重田真实;作本大辅 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/02;H01L23/04;H01S5/02315
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 绝缘 基体 半导体 封装 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种绝缘基体,其特征在于,具备:

板状的绝缘基板,具有上表面、侧面和位于从所述上表面至所述侧面的位置的槽部;

金属层,具有:第一金属层,位于所述上表面;以及第二金属层,与所述第一金属层连续,位于所述槽部的内壁;

接合材料,位于所述金属层的上表面;以及

引线端子,在俯视时与所述槽部重叠,并且隔着所述接合材料位于所述第一金属层的上表面,

所述接合材料具有:第一接合材料,将所述引线端子固定于所述第一金属层;以及第二接合材料,与所述第一接合材料连续,位于所述第二金属层的上表面,

所述槽部具有所述内壁突出的突出部,并且所述第二接合材料位于所述突出部与所述引线端子之间。

2.根据权利要求1所述的绝缘基体,其特征在于,

在侧视时,对于所述突出部而言,所述内壁彼此突出。

3.根据权利要求1所述的绝缘基体,其特征在于,

所述第二接合材料还位于所述突出部的下侧,

位于所述突出部的上侧的所述第二接合材料比位于所述突出部的下侧的所述第二接合材料多。

4.根据权利要求1所述的绝缘基体,其特征在于,

所述绝缘基板层叠有多个绝缘层,

并且所述多个绝缘层具有:所述第一金属层位于上表面的第一绝缘层;以及

第二绝缘层,位于所述第一绝缘层的下表面,

所述槽部位于所述第一绝缘层的上表面至侧面的位置。

5.根据权利要求4所述的绝缘基体,其特征在于,

在俯视时,在与所述槽部重叠的位置,所述第二绝缘层的上表面露出。

6.根据权利要求1所述的绝缘基体,其特征在于,

在俯视时,所述槽部的宽度比所述第一金属层的宽度小。

7.根据权利要求1所述的绝缘基体,其特征在于,

所述引线端子的宽度比所述槽部的最大宽度小。

8.一种半导体封装,其特征在于,具备:

基板,在上表面具有安装有半导体元件的安装区域;

框体,以包围所述安装区域的方式进行定位,在侧壁具有贯通孔;以及

权利要求1~7中任一项所述的绝缘基体,装配于所述贯通孔。

9.一种半导体装置,具备:

权利要求8所述的半导体封装;

半导体元件,安装于所述半导体封装的所述安装区域;以及

盖体,二覆盖所述半导体元件,与所述半导体封装的所述框体的上端接合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880013156.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top