[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模在审
申请号: | 201880013167.8 | 申请日: | 2018-02-20 |
公开(公告)号: | CN110326087A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/027;H01L21/268 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 洪秀川;马运刚 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光照射装置 薄膜晶体管 辅助图案 激光透射 投影透镜 投影掩模 透射区域 激光 图案 非晶硅薄膜 区域对应 区域照射 投影图案 粘附 光源 投影 配置 制造 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,包括:
光源,其产生激光;
投影透镜,其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光;以及
投影掩模图案,其配置于所述投影透镜,并由规定的投影图案使所述激光透射,
所述投影掩模图案不仅包括与所述规定的区域对应的透射区域,还包括辅助图案,该辅助图案设于所述透射区域的周边,并使所述激光透射。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜为多个微透镜,多个所述微透镜包含于能够对所述激光进行分离的微透镜阵列,
包含于所述投影掩模图案的多个所述掩模分别与各个多个所述微透镜对应。
3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案不仅包括大致长方形的所述透射区域,还包括大致长方形的辅助图案,所述辅助图案沿着所述透射区域的长边方向或短边方向设置,且宽度比所述透射区域窄。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案不仅包括第一辅助图案,还包括第二辅助图案,所述第一辅助图案沿着大致长方形的所述透射区域的长边方向设置,所述第二辅助图案沿着所述透射区域的短边方向设置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案的、所述辅助图案的宽度或大小基于所述激光的所述规定的区域中的能量来决定。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案在所述透射区域的长边方向或短边方向上,在所述透射区域内的边缘区域设有遮挡所述激光的多个遮光部分。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案在所述透射区域的长边方向及短边方向上,在所述透射区域内的边缘区域设有遮挡所述激光的多个遮光部分,且所设置的所述遮光部分的密度在所述长边方向的边缘区域与所述短边方向的边缘区域不同。
8.根据权利要求6或7所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案的、设于所述透射区域内的所述遮光部分的密度根据所述激光的所述规定的区域中的能量来决定。
9.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:
产生步骤,在该步骤中,产生激光;
透射步骤,在该步骤中,配置于投影透镜,并由规定的投影图案使所述激光透射;以及
照射步骤,在该步骤中,向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射透射过所述规定的投影图案的所述激光,
在所述透射步骤中,不仅经由与所述规定的区域对应的透射区域而使所述激光透射,还经由设于所述透射区域的周边的辅助图案而使所述激光透射。
10.一种程序,其特征在于,使计算机执行如下功能:
产生功能,在该功能中,产生激光;
透射功能,在该功能中,配置于投影透镜,并由规定的投影图案使所述激光透射;以及
照射功能,在该功能中,向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射透射过所述规定的投影图案的所述激光,
在所述透射功能中,不仅经由与所述规定的区域对应的透射区域而使所述激光透射,还经由设于所述透射区域的周边的辅助图案而使所述激光透射。
11.一种投影掩模,其被配置于照射激光的投影透镜,其特征在于,包括:
第一掩模图案,该第一掩模图案由规定的投影图案而使所述激光透射到粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域;以及
除与所述规定的区域对应的第一掩模图案以外的第二掩模图案,该第二掩模图案设于所述第一掩模图案的周边,并使所述激光透射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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