[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模

说明书

本发明的一实施方式提供一种激光照射装置，其特征在于，包括：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；投影掩模图案，其配置于所述投影透镜，并由规定的投影图案使所述激光透射，所述投影掩模图案除包括与所述规定的区域对应的透射区域，还包括辅助图案，该辅助图案设于该透射区域的周边，并使所述激光透射。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的形成，尤其涉及用于对薄膜晶体管上的非晶硅薄膜照射激光而形成多晶硅薄膜的激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法及程序。

背景技术

作为反参差结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜用于沟道区域的薄膜晶体管。不过，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜用于沟道区域，则存在有薄膜晶体管中的电荷的迁移率变小的难点。

因此，存在如下技术：通过利用激光将非晶硅薄膜的规定的区域瞬间加热而实现多晶体化，形成电子迁移率高的多晶硅薄膜，并将该多晶硅薄膜用于沟道区域。

例如，专利文献1公开了如下内容：通过在沟道区域形成非晶硅薄膜，然后，向该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此，通过短时间的熔融凝固来进行使多晶硅薄膜晶体化的处理。专利文献1记载了如下内容：通过进行该处理，能够将薄膜晶体管的源极与漏极间的沟道区域作为电子迁移率较高的多晶硅薄膜，从而能够实现薄膜晶体管动作的高速化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-100537号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1记载的薄膜晶体管中，虽然向源极与漏极间的沟道区域照射激光实现激光退火化，但存在所照射的激光的强度不恒定而多晶硅晶体的晶体化的程度在该沟道区域内产生偏差的情况。特别是在激光经由投影掩模照射的情况下，照射到沟道区域的激光的强度因该投影掩模的形状而存在不恒定的情况，其结果是，沟道区域中的晶体化的程度产生偏差。

因此，所形成的多晶硅薄膜的特性存在不均匀的情况，由此包含于基板的各个薄膜晶体管的特性可能产生偏差。其结果是，在使用基板制成的液晶体中产生显示不均这样的问题。

本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于提供能够降低照射到沟道区域的激光的特性的偏差，并抑制包含于基板的多个薄膜晶体管的特性的波动的激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一实施方式中的激光照射装置的特征在于，具有：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光；投影掩模图案，其配置于投影透镜，并由规定的投影图案使激光透射，投影掩模图案不仅包括与规定的区域对应的透射区域，还包括辅助图案，该辅助图案设于该透射区域的周边，并使所述激光透射。

在本发明的一实施方式中的激光照射装置中，可作为特征的是：投影透镜为多个微透镜，多个该微透镜包含于能够对激光进行分离的微透镜阵列，包含于投影掩模图案的多个掩模分别与各个多个微透镜对应。

在本发明的一实施方式中的激光照射装置中，可作为特征的是：投影掩模图案不仅包括大致长方形的透射区域，还包括大致长方形的辅助图案，该辅助图案沿着该透射区域的长边方向或短边方向设置，且宽度比该透射区域窄。

在本发明的一实施方式中的激光照射装置中，可作为特征的是：投影掩模图案不仅包括沿着大致长方形的透射区域的长边方向设置的第一辅助图案，还包括沿着该透射区域的短边方向设置的第二辅助图案。

在本发明的一实施方式中的激光照射装置中，可作为特征的是：投影掩模图案的辅助图案的宽度或大小基于激光的规定的区域中的能量来决定。