[发明专利]五氟硫烷基芳香族化合物的制造方法有效
申请号: | 201880013839.5 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN110621658B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 柴田哲男;斋藤记庸 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
主分类号: | C07C381/00 | 分类号: | C07C381/00;C07D213/71;C07D239/38;C07D277/76 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 五氟硫 烷基 芳香族 化合物 制造 方法 | ||
1.一种通式(3)所示的五氟硫烷基芳香族化合物的制造方法,其包含使通式(2)所示的卤代四氟硫烷基芳香族化合物与IF5反应的步骤,
通式(2):
Ar-(SF4Hal)k (2)
式中,Ar为取代或未取代的芳基或杂芳基,
Hal为Cl基、Br基或I基,
k为1~3的整数;
通式(3):
Ar-(SF5)k (3)
式中,Ar、k的定义如上所述,
在所述Ar基没有取代基或者作为取代基具有卤素基团或除卤素基团以外的供电子基团的情况下,在室温以上进行反应,
在所述Ar基作为取代基具有除卤素基团以外的吸电子基团的情况下,IF5的使用量相对于SF4Hal基为3当量以上,在50℃以上、无溶剂或非极性溶剂中进行反应。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述芳基或杂芳基具有选自卤素基团、除卤素基团之外的吸电子基团、及除卤素基团之外的供电子基团中的取代基。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述卤代四氟硫烷基芳香族化合物及五氟硫烷基芳香族化合物分别用通式(2’)及(3’)表示,
式中,Hal为Cl基、Br基或I基,
X为C或N,
Y为C或N,
R独立地为卤素基团、除卤素基团之外的吸电子基团、或者除卤素基团之外的供电子基团,
k为1~3的整数,
m为用0~(5-k-n)表示的整数,
n为所述N的个数。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述取代基为除卤素基团之外的吸电子基团。
5.根据权利要求3所述的制造方法,其中,
所述X及Y中的至少1个为N,
所述R中的至少1个是存在于环上3位的除卤素基团之外的吸电子基团。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述卤代四氟硫烷基芳香族化合物及五氟硫烷基芳香族化合物分别用通式(2”)及(3”)表示,
式中,Hal为Cl基、Br基或I基,
Z为N或S,
p为0~2的整数,
R’独立地为卤素基团、除卤素基团之外的吸电子基团、或者除卤素基团之外的供电子基团,
q为用0~(4-p)表示的整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇部兴产株式会社,未经宇部兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880013839.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。