[发明专利]半导体存储装置、信息处理设备以及参考电势设置方法在审
| 申请号： | 201880014081.7 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110326048A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 黑田真实 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考电势 半导体存储装置 感测放大器 电阻元件 信息处理设备 开关单元 注入电流 外部 | ||
1.一种半导体存储装置，包括：
电阻元件，被配置为生成要提供给感测放大器的参考电势；以及
开关单元，具有至少两种状态，包括通过将电流注入所述电阻元件而生成要提供给所述感测放大器的所述参考电势的状态以及将所述半导体存储装置外部生成的参考电势提供给所述感测放大器的状态。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述开关单元包括：
第一开关，具有控制是否执行来自电流源的电流注入用于通过将电流注入所述电阻元件来生成要提供给所述感测放大器的参考电势的两种状态，以及
第二开关，具有控制是否将所述半导体存储装置外部生成的参考电势提供给所述感测放大器的两种状态。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，根据来自所述半导体存储装置外部的信号来切换所述开关单元的状态。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述参考电势由处于第一电阻状态的第一电阻元件和处于不同于所述第一电阻状态的第二电阻状态的第二电阻元件生成。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件包括可变电阻存储元件。
6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件包括可变磁阻存储元件。
7.一种信息处理设备，包括至少一个根据权利要求1所述的半导体存储装置。
8.一种参考电势设置方法，包括：
在至少两种状态之间切换，所述至少两种状态包括通过将电流注入电阻元件而生成要提供给感测放大器的参考电势的状态以及将半导体存储装置外部生成的参考电势提供给所述感测放大器的状态，所述电阻元件被配置为生成要提供给所述感测放大器的参考电势。
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