[发明专利]半导体存储装置、信息处理设备以及参考电势设置方法

说明书

[问题]为了提供一种能够设置高度可靠的参考电势的半导体存储装置。[解决方案]根据本发明的半导体存储装置设置有：电阻元件，用于生成要提供给感测放大器的参考电势；以及开关单元，其具有至少两种状态，包括用于通过向电阻元件注入电流来生成要提供给感测放大器的参考电势的状态和用于向感测放大器提供外部生成的参考电势的状态。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储装置、一种信息处理设备和一种参考电势设置方法。

背景技术

一种可变电阻半导体存储装置包括由至少一个可变电阻存储元件构成的存储元件，该存储元件基于电阻值存储至少二进制信息。此外，可变电阻半导体存储装置将电流流入选定的存储元件，并通过使用感测放大器，检测施加到存储元件的电阻器的电压值，以读取存储在存储元件中的逻辑值。此外，可变电阻半导体存储装置的存储元件具有这样的特征，即当施加阈值或更高的电压时，根据施加的电压的方向发生向高电阻或低电阻的变化。因此，可变电阻半导体存储装置需要在不高于阈值电压的电压下读取。此外，需要准备用于识别存储元件的电阻值的两个电阻值的中间值，用于参考，并且例如已经公开了一种半导体存储装置，其中，分别具有高电阻值和低电阻值的两个存储元件并联排列，并且获得了电阻值的平均值(专利文献1和2等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开号2016-4589

专利文献2：日本专利申请公开号2009-238327

发明内容

本发明要解决的问题

然而，用于参考的存储元件需要高可靠性。此外，已知一种读取干扰现象，其中，值被施加用于读取的电流改变，并且以一定的概率在可变电阻存储元件中出现数据保持误差，并且在使用用于参考的可变电阻存储元件的情况下，读取数据时的可靠性有可能降低。

在这方面，本公开提出了一种能够以高可靠性设置参考电势的新颖且改进的半导体存储装置、一种信息处理设备和一种参考电势设置方法。

问题的解决方案

根据本公开，提供了一种半导体存储装置，包括：电阻元件，被配置为生成要提供给感测放大器的参考电势；以及开关单元，具有至少两种状态，包括通过将电流注入电阻元件而生成要提供给感测放大器的参考电势的状态以及将半导体存储装置外部生成的参考电势提供给感测放大器的状态。

此外，根据本公开，提供了一种包括至少一个上述半导体存储装置的信息处理设备。

此外，根据本公开，提供了一种参考电势设置方法，参考电势设置方法包括：在至少两种状态之间切换，至少两种状态包括通过将电流注入电阻元件而生成要提供给感测放大器的参考电势的状态以及将半导体存储装置外部生成的参考电势提供给感测放大器的状态，电阻元件被配置为生成要提供给感测放大器的参考电势。

本发明的效果

如上所述，根据本公开，可以提供能够以高可靠性设置参考电势的新颖且改进的半导体存储装置、信息处理设备和参考电势设置方法。

注意，本公开的效果不一定限于上述效果，并且与上述效果一起或者代替上述效果，可以实现本说明书中示出的任何效果，或者可以从本说明书中掌握的其他效果。

附图说明

图1是示出根据本公开实施方式的半导体存储装置以及与半导体存储装置相关的组件的说明图；

图2是示出根据实施方式方式的半导体存储装置的电路配置的示例的说明图；

图3A是示出用于数据存储的存储元件的配置示例的说明图；

图3B是示出用于数据存储的存储元件的配置示例的说明图；