[发明专利]晶圆加热装置有效
申请号: | 201880014866.4 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN110352626B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 竹林央史;鸟居谦悟;平田夏树 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H05B3/02 | 分类号: | H05B3/02;H01L21/02;H05B3/74 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋春华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
陶瓷加热器(10)在单面为晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体(12)埋设有中央熔区电阻发热体(20)及外周熔区电阻发热体(50)。中央熔区电阻发热体(20)从一对端子(21、22)的一方到另一方以一笔划线的要领配线,一对端子(21、22)形成为,在俯视时一对端子(21、22)的整体形状为圆形。
技术领域
本发明涉及晶圆加热装置。
背景技术
在半导体制造装置中,采用用于对晶圆进行加热的晶圆加热装置。作为这样的晶圆加热装置,已知在表面为晶圆载置面的基体埋设有电阻发热体的技术方案。电阻发热体从一对端子的一方到另一方以一笔划线的要领配线。例如,在专利文献1中公开了,如图14所示地将陶瓷基体分成中央熔区和外周熔区,将电阻发热体设于中央熔区和外周熔区的每一个的技术方案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-152137号公报
发明内容
发明所要解决的课题
另外,在这样的晶圆加热装置中,在俯视电阻发热体时,如图15所示,电阻发热体310的一对端子311、312呈现为隔开间隔配置的两个圆。因此,需要以绕过这两个圆形的端子311、312的方式将电阻发热体310不规则地布置。但是,该情况下,不规则地布置的面积增大,而且在两个圆形的端子311、312之间不存在电阻发热体310,因此难以提高晶圆的均热性。
本发明为了解决上述的课题而做成,其目的在于,相比目前,提高晶圆的均热性。
用于解决课题的方案
本发明的第一晶圆加热装置在单面为晶圆载置面的基体埋设有电阻发热体,其中,
上述电阻发热体从一对端子的一方到另一方以一笔划线的要领配线,
上述一对端子形成为,在俯视时上述一对端子的整体形状为圆形。
就该晶圆加热装置而言,电阻发热体的一对端子形成为,在俯视时一对端子的整体形状为圆形。因此,只要以绕过一个圆的方式对电阻发热体进行图案设计即可,不规则地布置电阻发热体的面积变小。另外,一对端子彼此之间为不存在电阻发热体的区域,但能够缩窄该区域,因此可缩小不存在电阻发热体的区域对晶圆的均热性产生的影响。因此,相比目前,能够提高晶圆的均热性。
此外,作为“基体”的材质,可以列举陶瓷、树脂等。
在本发明的第一晶圆加热装置中,也可以是,在俯视上述一对端子时,上述一对端子的一方呈现为将预定的圆对半分割而得到的一方的半圆部,上述一对端子的另一方呈现为将上述预定的圆对半分割而得到的另一方的半圆部。或者,也可以是,在俯视上述一对端子时,上述一对端子的一方呈现为将预定的圆分成中央的圆部和其圆部的外侧的圆环部中的上述圆部,上述一对端子的另一方呈现为沿上述圆环部的C字部。这样,能够简单地在俯视时将一对端子的整体形状形成为圆形。
在本发明的第一晶圆加热装置中,也可以是,在上述基体的与上述晶圆载置面相反的一侧的面设有与上述一对端子的每一个对应的形状的一对焊盘。该情况下,也可以是,在上述基体的与上述晶圆载置面相反的一侧的面接合有内置制冷剂通路的冷却板,在上述冷却板的与上述制冷剂通路不干涉的位置设有与上述一对焊盘对置的一个贯通孔。贯通孔可能成为在晶圆产生温度特异点的原因,但在此,相对于电阻发热体的一对端子,只要在冷却板设置一个贯通孔即可,因此相比对一对端子的每一个设置贯通孔的情况,容易与温度特异点减少相应地提高晶圆的均热性。
在本发明的第一晶圆加热装置中,也可以是,上述基体被分成多个熔区,在每个上述熔区设置有上述电阻发热体。这样,能够对每个熔区进行温度调整。
本发明的第二晶圆加热装置在单面为晶圆载置面的基体埋设有至少两个电阻发热体,其中,
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