[发明专利]用于异物除去的涂膜形成用组合物

权利要求书

1.一种从半导体除去异物的异物除去方法，其包含下述工序：

将用于异物除去的涂膜形成用组合物涂布在半导体基板上进行烧成而形成涂膜的工序；

在所述涂膜上形成粘接层的工序；

将在所述涂膜上形成的粘接层剥离的工序；

在该涂膜上形成异物的工序；以及

将该涂膜与异物一起利用显影液除去的工序，

所述用于异物除去的涂膜形成用组合物包含聚合物、具有至少二个环氧基的化合物或吸光性化合物、和溶剂，并能够形成溶解于显影液的涂膜，

所述聚合物为具有

由(a)四羧酸二酐化合物、和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物衍生的结构单元、以及

由(a)四羧酸二酐化合物、和(c)与(b)不同的二胺化合物衍生的结构单元的聚酰胺酸。

2.根据权利要求1所述的方法，所述异物为所述粘接层的剥离残渣。

3.一种基板处理方法，其包含下述工序：

将用于异物除去的涂膜形成用组合物涂布在作为半导体基板的第一基板上进行烧成而形成涂膜的工序；

在所述涂膜上形成粘接层的工序；

将作为支持基板第二基板经由所述粘接层而暂时粘贴于所述第一基板的工序；

将所述第二基板从所述第一基板剥离的工序；以及

将在所述第二基板剥离后在所述第一基板上残存的所述涂膜与作为异物的所述粘接层一起利用显影液除去的工序，

所述用于异物除去的涂膜形成用组合物包含聚合物、具有至少二个环氧基的化合物或吸光性化合物、和溶剂，并能够形成溶解于显影液的涂膜，

所述聚合物为具有

由(a)四羧酸二酐化合物、和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物衍生的结构单元、以及

由(a)四羧酸二酐化合物、和(c)与(b)不同的二胺化合物衍生的结构单元的聚酰胺酸。

4.一种叠层基板的制造方法，其包含权利要求1所述的异物除去方法、或者权利要求3所述的基板处理方法。

5.一种用于异物除去的涂膜形成用组合物，其特征在于，在权利要求1所述的异物除去方法、或者权利要求3所述的基板处理方法中使用。

6.根据权利要求5所述的组合物，所述(c)二胺化合物为不具有羧基的二胺化合物。

7.根据权利要求5所述的组合物，所述具有至少二个环氧基的化合物从三(2,3-环氧丙基)异氰脲酸酯、1,4-丁二醇二缩水甘油基醚、1,2-环氧-4-(环氧乙基)环己烷、甘油三缩水甘油基醚、二甘醇二缩水甘油基醚、2,6-二缩水甘油基苯基缩水甘油基醚、1,1,3-三[对(2,3-环氧丙氧基)苯基]丙烷、1,2-环己烷二甲酸二缩水甘油酯、4,4’-亚甲基双(N,N-二缩水甘油基苯胺)、3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己烷甲酸酯、三羟甲基乙烷三缩水甘油基醚、双酚-A-二缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚中选择。

8.根据权利要求5所述的组合物，所述吸光性化合物从具有下述(42)、(43)和(44)所示的单元结构的聚合物、和(45)所示的化合物中选择，

在式(45)中，Ar表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、碳原子数1～5的硫代烷基、羧基、苯氧基、乙酰基、可以被碳原子数1～5的烷氧基羰基或乙烯基取代的苯环、萘环或蒽环。

9.根据权利要求5所述的组合物，其进一步包含使在显影液中的溶解速度促进的化合物。

10.根据权利要求9所述的组合物，所述使在显影液中的溶解速度促进的化合物的添加量，在所述组合物的固体成分中为20质量％以下。

11.根据权利要求9或10所述的组合物，所述使在显影液中的溶解速度促进的化合物从多元酚化合物和含有羧基的化合物中选择。