[发明专利]用于异物除去的涂膜形成用组合物

说明书

提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。

技术领域

本发明涉及能够将在基板上形成的异物利用简便方法除去的、用于异物除去的涂膜形成用组合物、基板上的异物除去方法、基板处理方法、叠层基板的制造方法。优选涉及在半导体装置制造的半导体晶片暂时粘接工序中使用的、用于异物除去的涂膜形成用组合物。

背景技术

研究了在半导体装置的制造中，特别是在所谓的后工序中，在将半导体用基板(晶片)粘贴于支持基板后，进行背面研磨(研削)、配线制作工序等，然后将支持基板剥离而获得所希望的半导体基板的工序。

在对支持基板进行粘贴时，进行通过对之后的工序(加热工序、化学溶液处理工序)具有耐性的粘接剂(包含聚合物的液状组合物、背面研磨带、切割带等)粘贴晶片，然后将半导体基板剥离的工序，但此时粘接剂所包含的粘接层有时在基板上作为异物(残渣)而残留。这在基板上预先形成了配线等的半导体基板表面直接形成粘接层的情况下特别显著地发生。

该异物即使通过公知的有机溶剂、液状试剂等进行洗涤等，有时也不能完全除去。

公开了将支持基板与半导体晶片用粘接性组合物粘接，将半导体晶片的背面进行了研磨后将粘接剂用蚀刻液除去的方法(专利文献1)。

在半导体光刻中使用的防反射膜中，公开了可以溶解于光致抗蚀剂用显影液，与光致抗蚀剂同时进行显影除去的防反射膜(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2008-532313号公报

专利文献2：国际公开第2005/022261号

发明内容

发明所要解决的课题

本发明所要解决的课题是提供例如在半导体装置制造的半导体晶片暂时粘接工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，并提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。

另外，本申请发明的用于异物除去的涂膜只要是用于除去基板上的异物即可，不限定于上述暂时粘接工序。

用于解决课题的方法

发明者们进行了深入研究，结果发现，如果将上述用于异物除去的涂膜在基板粘接面预先涂布烧成，形成涂膜后，进行粘接工序、晶片暂时粘贴工序和晶片剥离工序，然后利用显影液进行洗涤，则粘接后的剥离残渣能够完全除去，并且也没有基板的损伤，从而完成了本发明。

本发明包含以下方案。

[1]一种用于异物除去的涂膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，并能够形成溶解于显影液的涂膜。

[2]根据[1]所述的组合物，上述聚合物为具有由(a)四羧酸二酐化合物、和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物衍生的结构单元的聚酰胺酸。

[3]根据[1]所述的组合物，上述聚合物为具有由(a)四羧酸二酐化合物、和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物衍生的结构单元、以及

由(a)四羧酸二酐化合物、和(c)与(b)不同的二胺化合物衍生的结构单元的聚酰胺酸。

[4]根据[3]所述的组合物，上述(c)二胺化合物为不具有羧基的二胺化合物。