[发明专利]用于基板的处理设备以及操作此处理设备的方法

说明书

一种用于将真空提供给不同真空单元的装置，真空单元尤指用于基板的处理装置，基板尤指半导体基板或光伏用基板，及一种操作此处理装置的方法。处理装置包括：至少三个彼此分离的真空单元；第一泵及将第一泵与真空单元中的每个连接在一起的第一管路系统；第二泵及将第二泵与真空单元中的每个连接在一起的第二管路系统；至少一定数目的对应于真空单元数目的第一阀，布置在第一管路系统中使得每个真空单元皆分配有第一阀，从而对相应的真空单元与第一泵之间的连接进行控制；至少一定数目的对应真空单元数目的第二阀，布置在第二管路系统中使得每个真空单元皆分配有第二阀，从而对相应的真空单元与第二泵之间的连接进行控制；及控制单元，用于至少控制第一阀及第二阀，从而通过第一泵和/或第二泵来分别控制真空单元的泵出。处理装置操作期间，较佳通过第二泵将相应的真空单元泵出至预设压力并在处理期间通过第一泵保持在预设压力上，泵出期间相应真空单元与第一泵之间的连接被关闭，处理期间相应真空单元与第二泵之间的连接被关闭。

本发明涉及一种用于将真空提供给不同真空单元的装置。真空单元例如可指用于基板的处理装置，该等基板尤指半导体基板及光伏用基板。本发明亦涉及一种操作此处理装置的方法。

现有技术中揭示过不同的应用领域，其中例如在负压中处理基板时必须产生真空。常见方法是用PECVD进行涂布，以便例如对半导体晶片进行涂布。采用此种涂布工艺时，通常需要压力范围为0.1至5毫巴的真空。通过现有技术中揭示的常见真空泵来产生此种压力。

公知设备中通常使用多个并行和/或依序操作的制程室，其中每个制程室通过相应的阀(如调节阀及关断阀)与一指定的真空阀连接。采用此种结构时，能够以与其他制程室无关的方式分别地对每个制程室施加负压，因而实现了较高灵活度。但采用此种结构时，存在较高的硬件需求，因为每个制程室皆分配有独立的泵、相应的阀以及视情况的其他元件，如颗粒收集器、废气处理装置及其他附加元件。此种制程设备的一个例子是centrotherm c.Plasma 3000，其通常配设有四或五个制程管。因而亦设有四或五个真空泵，相应的阀以及附加元件，从而加大了设备成本及所占空间。此外还存在以下难题：在分配给某个制程的真空泵内部以及在相应的真空泵下游，相应制程室中所使用的气体可能发生沉积。此等气体可能在切换制程时在制程室内部与随后使用的制程气体发生反应，从而造成有害的反应产物。

有鉴于此，本发明的目的在于克服或至少减轻前述缺陷中的至少一个。

本发明用以达成上述目的的解决方案为权利要求1所述的一种处理装置及权利要求13所述的一种方法。更多实施方式参阅附属项。

本文特别是提出一种用于将真空提供给不同真空单元的装置，该装置包括：至少三个彼此分离的真空单元；第一泵及第一管路系统，该第一管路系统将该第一泵与该等真空单元中的每个连接在一起；第二泵及第二管路系统，该第二管路系统将该第二泵与该等真空单元中的每个连接在一起；至少一定数目的对应于该等真空单元的数目的第一阀，其如此地布置在该第一管路系统中，使得每个真空单元皆分配有一第一阀，从而对该相应的真空单元与该第一泵之间的连接进行控制；至少一定数目的对应于该等真空单元的数目的第二阀，其如此地布置在该第二管路系统中，使得每个真空单元皆分配有一第二阀，从而对该相应的真空单元与该第二泵之间的连接进行控制；及控制单元，其用于至少控制该第一及第二阀，从而通过该第一和/或第二泵来分别地控制该等真空单元的泵出。此种处理装置在硬件需求及空间需求较少的同时，能够以较高的灵活性实施真空单元泵出。该第一及第二泵可构建为单独一个泵单元，亦可由依次布置的泵和/或并行布置的泵构成。该装置特别是适合用作用于基板的处理装置，该等基板尤指半导体基板及光伏用基板，其中该等真空单元分别构成一个制程单元。

在一种实施方式中，该第一管路系统中的该等第一阀为调节阀，特别是蝶形阀，以便调节并保持各真空单元中所需的制程压力。较佳设有至少一定数目的对应于该等真空单元的第三阀，其如此地布置在该第一管路系统中，使得每个真空单元皆分配有一第三阀，从而打开或关闭该相应的真空单元与该第一泵之间的连接。调节阀的密封性通常不足以保持制程压力(无需泵辅助)，因此，较佳额外设有一具有较高密封性的关闭阀。