[发明专利]辐射源

说明书

辐射源布置引起泵浦辐射(340)与气态介质(406)之间的相互作用，以通过较高次谐波产生(HHG)来产生EUV或软x‑射线辐射。通过检测(420/430)由状态感测辐射与介质之间的相互作用产生的第三辐射(422)来监控辐射源布置的操作状态。状态感测辐射(740)可以与第一辐射相同，或者可以被单独地施加。第三辐射可以例如是状态感测辐射的被真空气体边界反射或散射的部分，或者它可以是HHG过程的较低次谐波、或荧光、或者被散射的。传感器可以包括一个或更多个图像检测器，以便可以分析第三辐射的空间强度分布和/或角分布。基于所确定的操作状态的反馈控制稳定了HHG源的操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年3月2日提交的欧洲申请17158942.7的优先权，所述欧洲申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本公开涉及用于可用在例如通过光刻技术的器件制造中的检查(例如量测)的方法和设备，并且涉及使用光刻技术来制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单个层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常称为“场”。

在光刻过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠误差的专用工具，重叠误差是器件中的两个层的对准的准确度。近来，已经开发了用于光刻领域的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导到目标上，并且测量散射辐射的一个或更多个属性——例如在单个反射角下的强度随波长的变化；在一种或更多种波长下的强度随反射角的变化；或者偏振随反射角的变化——以获得衍射“光谱”，可以根据所述衍射“光谱”确定目标的感兴趣的属性。

同时，已知的检查技术采用在可见光或紫外波段中的辐射。这限制了可以被测量的最小特征，因此所述技术不再能够直接测量现代光刻过程中产生的最小特征。为了测量较小的结构，已经提出了使用较短波长的辐射，类似于EUV光刻术中使用的极紫外(EUV)波长。这样的波长可以在1至100nm的范围内，例如，或1-125nm的范围内。所述波长范围中的部分或全部也可以被称为软x-射线(SXR)波长。一些作者可以使用SXR来指代较窄范围的波长，例如1-10nm或1-20nm的范围内的波长。出于本公开的目的，这些术语SXR和EUV将被使用而不暗示任何硬性区分。也考虑了使用较硬的x-射线(例如0.1-1nm范围内的x-射线)的量测。在已公布的专利申请WO2015172963A1中公开了在透射型和/或反射型散射模式中使用这些波长的透射型和反射型量测技术的示例。在已公布的专利申请US2016282282A1、US2017045823A1和WO2017025392A1中以及在国际专利申请号PCT/EP2016/080058(但未在本优先权日公布)中公开了在透射型和/或反射型散射模式中使用这些波长的量测技术和设备的另外的示例。所有这些申请的内容通过引用并入本文。