[发明专利]密封片及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种密封片，其在具有使用碱性溶液的处理工序的半导体装置的制造方法中，用于密封内置在基板内的半导体芯片或密封粘着片上的半导体芯片，其特征在于，

所述密封片至少具备固化性的粘合剂层，

所述粘合剂层由粘合剂组合物形成，所述粘合剂组合物含有热固性树脂、热塑性树脂、及利用最小被覆面积为550m²/g以上、1500m²/g以下的表面处理剂进行了表面处理的无机填料。

2.根据权利要求1所述的密封片，其特征在于，所述表面处理剂为选自由硅氮烷化合物、烷氧基硅烷及硅烷偶联剂组成的组中的至少1种。

3.根据权利要求2所述的密封片，其特征在于，所述硅氮烷化合物为具有下述式(1)的结构的化合物，

SiR₃-N(H)-SiR₃…(1)

式(1)中，R分别独立地表示碳原子数为1以上、6以下的被取代或未被取代的烷基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的密封片，其特征在于，所述无机填料为二氧化硅填料或氧化铝填料。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的密封片，其特征在于，所述无机填料的平均粒径为0.01μm以上、3.0μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的密封片，其特征在于，所述无机填料的最大粒径为0.05μm以上、5.0μm以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的密封片，其特征在于，所述无机填料为球状。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的密封片，其特征在于，所述粘合剂组合物进一步含有咪唑类固化催化剂。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包含以下工序：

在基材的至少一个面上设置1个或2个以上的半导体芯片的工序；

以至少覆盖所述半导体芯片的方式，层叠权利要求1～8中任一项所述的密封片的所述粘合剂层的工序；

通过固化所述粘合剂层，得到具备由所述粘合剂层固化而成的固化层、被所述固化层密封的所述半导体芯片以及所述基材的密封体的工序；

形成从所述固化层的与所述基材为相反侧的面贯穿至所述固化层与所述半导体芯片的界面的孔的工序；

通过将形成有所述孔的所述密封体暴露在碱性溶液中，对所述孔进行除胶渣处理的工序；及

通过所述孔形成电连接于所述半导体芯片的电极，从而得到芯片内置基板的工序。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包含以下工序：

在粘着片的粘着面上设置1个或2个以上的半导体芯片的工序；

以至少覆盖所述半导体芯片的方式，层叠权利要求1～8中任一项所述的密封片的所述粘合剂层的工序；

通过固化所述粘合剂层，得到具备由所述粘合剂层固化而成的固化层与被所述固化层密封的所述半导体芯片的密封体的工序；

将所述粘着片从所述密封体上剥离的工序；

在通过剥离所述粘着片而露出的所述密封体的面上，层叠层间绝缘膜的工序；

形成从所述层间绝缘膜的与所述密封体为相反侧的面贯穿至所述层间绝缘膜与所述半导体芯片的界面的孔的工序；

通过将层叠有形成了所述孔的所述层间绝缘膜的所述密封体暴露在碱性溶液中，对所述孔进行除胶渣处理的工序；及

通过所述孔形成电连接于所述半导体芯片的电极的工序。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包含以下工序：

在基材的至少一个面上或者在粘着片的粘着面上设置1个或2个以上的半导体芯片的工序；

以至少覆盖所述半导体芯片的方式，层叠权利要求1～8中任一项所述的密封片的所述粘合剂层的工序；

通过固化所述粘合剂层，得到具备由所述粘合剂层固化而成的固化层与被所述固化层密封的所述半导体芯片的密封体的工序；及

通过将所述密封体暴露在碱性溶液中，从而在所述密封体表面形成凹凸的工序。