[发明专利]密封片及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种密封片1，其在具有使用碱性溶液的处理工序的半导体装置的制造方法中，用于密封内置在基板内的半导体芯片2或密封粘着片8上的半导体芯片2，密封片1至少具备固化性的粘合剂层11，粘合剂层11由粘合剂组合物形成，所述粘合剂组合物含有热固性树脂、热塑性树脂、及利用最小被覆面积为550m²/g以上、1500m²/g以下的表面处理剂进行了表面处理的无机填料。该密封片1中，无机填料不容易从固化层11’上脱离。

技术领域

本发明涉及一种密封片以及使用了该密封片的半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，在半导体装置的制造方法中，使用密封片密封半导体芯片，所述密封片具备将密封材料形成为片状而成的层(粘合剂层)。例如，通过将密封片的粘合剂层层叠在设置于基板上的半导体芯片后，固化该粘合剂层，从而密封半导体芯片(专利文献1)。

此外，近年来，正在进行内置有半导体芯片的基板(以下，有时称为“芯片内置基板”)的开发，在该基板的制造中，有时也会进行半导体芯片的密封。此时，在基材上设置半导体芯片，在该基材的设置有半导体芯片的面上层叠密封片的粘合剂层后，固化该粘合剂层。进一步，形成贯穿由该粘合剂层固化而成的固化层的孔，通过该孔形成电连接半导体芯片与外部的电极，从而可得到芯片内置基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-19714号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

而且，近年来，也正在开发在粘着片上密封半导体芯片的方法。在该方法中，通过将密封片的粘合剂层层叠于设置在粘着片上的半导体芯片上，并固化该粘合剂层，可得到密封半导体芯片而成的密封体。该密封体中有时会进一步形成有电极。此时，将粘着片从该密封体上剥离，并在该密封体的露出的面上层叠层间绝缘膜。然后，形成贯穿该层间绝缘膜的孔，通过该孔形成电连接半导体芯片与外部的电极。根据这种方法，可制造扇出型晶圆级封装(FOWLP)等。

在上述芯片内置基板或FOWLP等的制造方法中，在固化层或层间绝缘膜中形成孔时，有时会产生树脂的残渣(以下，有时称为“胶渣(smear)”)，且该胶渣残留在孔内。若以胶渣残留在孔内的状态形成电极，则容易发生电极导通不良之类的问题。因此，为了避免这种问题，在形成孔之后，进行去除产生的胶渣的除胶渣处理。在形成对准用的孔时，有时也进行这种除胶渣处理。

作为除胶渣处理，进行将处理对象暴露在碱性溶液中的方法。根据该方法，能够将胶渣溶解于碱性溶液中而去除。此外，有时也以在产品的树脂表面形成微细凹凸为目的而进行利用碱性溶液的处理。此时，树脂表面被碱性溶液部分溶解，从而在表面形成凹凸。

然而，对以往的使用密封片而形成的密封体进行如上所述的利用碱性溶液的处理时，会发生存在于固化层中的大量无机填料从固化层脱离的问题。发生这种脱离的固化层在加热时容易膨胀。由于在半导体装置的后续的制造工序中或使用制造的半导体装置时，伴随着固化层的温度上升会发生该膨胀，因此，从制造具有良好性能的半导体装置的角度出发，要求不发生如上所述的膨胀。

本发明是鉴于这种实际情况而完成的，其目的在于提供一种无机填料不容易从固化层脱离的密封片。此外，本发明提供一种使用了这种密封片且具有良好性能的半导体装置的制造方法。

解决技术问题的技术手段