[发明专利]使用保护盖层蚀刻含铂薄膜

权利要求书

1.一种形成微电子器件的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成含铂层；

在所述含铂层上形成盖层，在所述盖层和所述含铂层之间的界面不含氧化铂，其中所述盖层主要是铝或主要是铜；以及

通过湿蚀刻工艺去除所述盖层和所述含铂层的至少一部分，所述湿蚀刻工艺的相同湿蚀刻剂去除所述盖层和所述含铂层的所述至少一部分，其中在所述相同湿蚀刻剂中，所述盖层的蚀刻速率是所述含铂层的蚀刻速率的至少两倍。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铂层主要包括铂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述盖层具有的组成和所述微电子器件的互连线中的层的组成相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿蚀刻工艺使用王水。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述含铂层被暴露于氧化环境之前形成所述盖层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在从所述含铂层的顶部表面去除氧化铂之后形成所述盖层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中使用溅射蚀刻工艺执行去除所述氧化铂。

8.根据权利要求6所述的方法，其中通过加热所述含铂层来执行去除所述氧化铂。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述盖层之前在所述含铂层的一部分上方形成硬掩模，其中所述盖层在所述硬掩模上方形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述硬掩模包括介电材料。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述硬掩模是导电的。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在使用所述湿蚀刻工艺去除所述盖层和所述含铂层的所述至少一部分之后，对所述含铂层的剩余部分上的所述硬掩模进行图案化。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

去除所述含铂层的对应部分上方的所述盖层的一部分；以及

在使用所述湿蚀刻工艺去除所述盖层和所述含铂层的所述至少一部分之前，在通过去除所述盖层的所述一部分暴露出的地方的对应含铂层上形成掩模氧化铂，其中所述掩模氧化铂阻挡去除所述掩模氧化铂下面的所述含铂层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铂层接触所述衬底的硅；并且所述方法还包括在去除所述盖层和所述含铂层的所述至少一部分之前，加热所述含铂层以形成硅化铂。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铂层的一部分提供局部互连。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述局部互连进行与硅化铂的电连接。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铂层的一部分提供键合焊盘。