[发明专利]使用保护盖层蚀刻含铂薄膜

说明书

一种微电子器件(200)是通过在该微电子器件(200)的衬底(202)上形成含铂层(220)来形成的。盖层(232)在含铂层(220)上形成，使得盖层(232)和含铂层(220)之间的界面不含氧化铂。盖层(232)在蚀刻含铂层(220)的蚀刻溶液中也是可蚀刻的。可替代地，含铂层(200)上的氧化铂可以在形成盖层(232)之前被去除。含铂层(220)可以用于形成硅化铂(226)。可以通过在含铂层(220)的顶部表面的一部分上形成硬掩模或掩模氧化铂(264)以阻挡湿蚀刻剂来图案化含铂层(220)。

技术领域

本发明一般涉及微电子器件，并且更具体地涉及在微电子器件中的金属层。

背景技术

可能需要在微电子器件中形成含铂金属的图案化层。蚀刻含铂金属是困难的。湿蚀刻需要非常强的酸，例如王水，并且在蚀刻区域中产生含铂残留物。此外，湿蚀刻趋于不均匀，需要显著的过蚀刻，这在图案化层的横向尺寸上引入不希望的变化。干蚀刻可以通过溅射蚀刻(也称为离子研磨)来完成，但是在微电子器件上导致不期望的再沉积的含铂材料，这可能降低微电子器件的可靠性。此外，溅射蚀刻可能导致在溅射蚀刻室的内表面上沉积不需要的含铂残留物，这可能导致随后处理的晶圆上的污染。溅射蚀刻对含铂金属下面的层中的材料的选择性差。

发明内容

通过在微电子器件的衬底上形成含铂层来形成微电子器件。在含铂层上形成盖层，使得盖层和含铂层之间的界面不含氧化铂。盖层在用于蚀刻含铂层的蚀刻溶液中是可蚀刻的。在一个方面，在含铂层暴露于氧化环境之前，可以在含铂层上形成盖层。在另一方面，可以在形成盖层之前去除含铂层上的氧化铂。随后通过湿蚀刻工艺去除盖层和含铂层。

在一个方面，可以在形成盖层之前在含铂层的一部分上方形成硬掩模。在形成盖层之前，从氧化铂中的由硬掩模暴露的地方除去氧化铂。随后使用蚀刻溶液的湿蚀刻工艺去除盖层并去除由硬掩模暴露的含铂层，从而留下图案化区域中的含铂层。

在另一方面，可以从含铂层的一部分上去除盖层，从而暴露图案化区域中的含铂层。然后可以在暴露的含铂层上形成掩模氧化铂。随后使用蚀刻溶液的湿蚀刻工艺去除剩余的盖层并去除盖层下面的含铂层，从而留下图案化区域中的掩模氧化铂下面的含铂层。

附图说明

图1A至图1H是在一个示例形成方法的连续阶段中描绘的具有含铂层的微电子器件的横截面。

图2A至图2H是在另一示例形成方法的连续阶段中描绘的具有含铂层的微电子器件的横截面。

图3A至图3F是在又一个示例形成方法的连续阶段中描绘的具有含铂层的微电子器件的横截面。

图4A至图4H是在另一示例形成方法的连续阶段中描绘的具有含铂层的微电子器件的横截面。

图5A至图5F是在另一示例形成方法的连续阶段中描绘的在键合焊盘中具有含铂层的微电子器件的横截面。

图6A至图6I是在又一个示例形成方法的连续阶段中描绘的具有图案化的含铂层的微电子器件的横截面。

具体实施方式

附图未按比例绘制。示例实施例不受所示出的动作或事件的排序的限制，因为一些动作或事件可以以不同的顺序发生和/或与其他动作或事件同时发生。此外，并非所有示出的动作或事件都是实施方法所需的。

一种包括具有含铂层的组件的微电子器件，其可以通过包括在微电子器件的即时顶部表面上形成含铂层的方法来形成。出于本公开的目的，术语微电子器件的“即时(instant)顶部表面”应理解为指的是在所公开的特定步骤中存在的微电子器件的顶部表面。在微电子器件的形成中，即时顶部表面的身份可以从一个步骤到另一个步骤而改变。在一个步骤中，即时顶部表面可以指暴露的半导体材料和暴露的场氧化物。在另一步骤中，即时顶部表面可以指互连区域中的介电层。在进一步的步骤中，即时顶部表面可以指互连区域上方的保护性外涂(PO)层。