[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201880016289.2 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN110383475B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 松尾昌明;林健二;须崎哲广;高桥聪一郎;林口匡司;塚本美久 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/36;H01L23/58;H01L25/18;H02M7/48 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
第一基板,其具有彼此朝向厚度方向的第一主面及第一背面;
第二基板,其在所述厚度方向上具有朝向所述第一主面所朝的一侧的第二主面以及朝向所述第二主面的相反侧的第二背面,并且在相对于所述厚度方向正交的第一方向上与所述第一基板分离;
多个第一安装层,其配置于所述第一主面且具有导电性;
多个第二安装层,其配置于所述第二主面且具有导电性;
多个电源端子,其与所述多个第一安装层导通;
输出端子,其与所述多个第二安装层中的任一个连接;
多个中继导电部件,其与所述多个第一安装层及所述多个第二安装层逐一连接;以及
多个开关元件,其安装于所述多个第一安装层及所述多个第二安装层,
所述多个中继导电部件各自具有多个带状部及连结部,
所述多个带状部在所述第一方向上延伸,并且在相对于所述厚度方向及所述第一方向双方正交的第二方向上彼此分离,
所述连结部在所述第二方向上延伸,并且使所述多个带状部相互连结,
所述多个带状部的一端通过超声波接合而与所述多个第一安装层连接,
所述多个带状部的另一端通过超声波接合而与所述多个第二安装层连接,
在所述厚度方向上观察,所述多个带状部各自具有与所述多个第一安装层中的任一个重叠的第一重叠区域,
所述第一重叠区域的所述第一方向的尺寸比所述第一重叠区域的所述第二方向的尺寸大。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一重叠区域包含与所述多个第一安装层中的任一个连接的连接区域,
在所述厚度方向上观察,所述连接区域具有在所述第二方向上彼此分离的一对第一周缘、以及与所述一对第一周缘的所述第一方向的一侧相连的第二周缘,
所述一对第一周缘各自向所述第二方向鼓出,
所述第二周缘向所述第一方向鼓出。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
在所述厚度方向上观察,若在所述连接区域中设定通过所述多个带状部中的任一个与所述连结部的边界且在所述第一方向上延伸的第一直线、以及通过所述一对第一周缘与所述第二周缘的边界且在所述第二方向上延伸的第二直线,
则所述第二周缘与所述第二直线的最大间隔比离所述第一直线最近的所述一对第一周缘中的任一个与所述第一直线的最大间隔大。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述连接区域在所述第二方向上彼此朝向相反侧,并且具有各自包含所述一对第一周缘的一对周面,
从所述多个第一安装层中的任一个在所述厚度方向上越向所述第一主面所朝的一侧远离,所述一对周面越在所述第二方向上沿着彼此远离的朝向。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
在所述厚度方向上观察,所述多个带状部各自具有第二重叠区域,该第二重叠区域位于所述第一重叠区域的旁边,并且从所述多个第一安装层分离,并与所述第一基板重叠,
所述第二重叠区域的所述第一方向的尺寸比从所述第一重叠区域去掉所述连接区域后的区域的所述第一方向的尺寸大。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述多个电源端子、所述输出端子及所述多个中继导电部件均由金属板构成,
所述金属板的组成包含铜,
所述多个中继导电部件各自的厚度比所述多个电源端子及所述输出端子各自的厚度小。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,还具备:
第一导电层,其配置于所述第一主面,并且与安装于所述多个第一安装层的所述多个开关元件导通;以及
第二导电层,其配置于所述第二主面,并且与安装于所述多个第二安装层的所述多个开关元件导通,
所述多个中继导电部件中的任一个还与所述第一导电层及所述第二导电层连接,
所述多个带状部的一端通过超声波接合而与所述第一导电层连接,
所述多个带状部的另一端通过超声波接合而与所述第二导电层连接。
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