[发明专利]生片形成用剥离膜

权利要求书

1.一种生片形成用剥离膜，其用于形成生片，

该生片形成用剥离膜具备：

基材、和

设置于所述基材的一面的剥离剂层，

所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(1)表示的结构单元及下述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物，

在所述通式(1)中，

R¹及R²任选相同或不同，分别表示碳原子数为1～6的烷基、或苯基，

在所述通式(2)中，

R³表示碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、或苯基，

L表示单键、亚烷基、二有机硅氧烷基、-O-基、或下述通式(3)表示的2价基团，

Y表示下述通式(4)表示的含有两性离子的基团，

在所述通式(3)中，

l为1～4的整数，m为1～10的整数，

在所述通式(4)中，

R⁴及R⁵任选相同或不同，表示碳原子数1～6的烷基、苯基、碳原子数1～6的氟取代烷基、或碳原子数1～6的含羟基的羟基烷基，

R⁴及R⁵任选形成环，且在形成环时表示亚烷基，

n为3～6的整数。

2.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜，其中，

所述(A)固化性化合物为(A1)能量射线固化性化合物。

3.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜，其中，

所述(A)固化性化合物为(A2)热固性化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的生片形成用剥离膜，其中，

所述(B)含离子性基团的有机硅化合物具有选自碳原子数2～6的烯基、丙烯酰基、硫羟基及氢化甲硅烷基中的至少1种反应性官能团。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的生片形成用剥离膜，其中，

所述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra为8nm以下，且所述剥离剂层的外表面的最大突起高度Rp为80nm以下。