[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201880016702.5 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110383493B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 织田明博;武田悠二郎;村重正悟;松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵基板，
具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，
上述有源矩阵基板的特征在于，具备：
基板；
多个第1TFT，其支撑于上述基板，设置在上述非显示区域；
周边电路，其包含上述多个第1TFT；
多个第2TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域；以及
无机绝缘层，其覆盖上述多个第1TFT和上述多个第2TFT，
上述多个第1TFT和上述多个第2TFT各自具有：
栅极电极；
栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；
氧化物半导体层，其以隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对的方式配置，包含沟道区域和位于上述沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；以及
源极电极和漏极电极，上述源极电极与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触，上述漏极电极与上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域接触，
上述多个第1TFT和上述多个第2TFT的上述氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，
上述多个第1TFT的上述沟道区域中的载流子浓度比上述多个第2TFT的上述沟道区域中的载流子浓度高，
上述无机绝缘层包含与上述多个第1TFT和上述多个第2TFT的上述沟道区域接触的氧化硅层，
上述氧化硅层中的位于上述多个第1TFT之上的第1部分以比位于上述多个第2TFT之上的第2部分高的浓度包含氢。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述多个第1TFT的上述沟道区域中的载流子浓度为1×1017/cm3以上1×1019/cm3以下。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，
上述多个第1TFT的上述沟道区域中的载流子浓度为上述多个第2TFT的上述沟道区域中的载流子浓度的10倍以上1000倍以下。
4.一种有源矩阵基板，
具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，
上述有源矩阵基板的特征在于，具备：
基板；
多个第1TFT，其支撑于上述基板，设置在上述非显示区域；
周边电路，其包含上述多个第1TFT；
多个第2TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域；以及
无机绝缘层，其覆盖上述多个第1TFT和上述多个第2TFT，
上述多个第1TFT和上述多个第2TFT各自具有：
栅极电极；
栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；
氧化物半导体层，其以隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对的方式配置，包含沟道区域和位于上述沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；以及
源极电极和漏极电极，上述源极电极与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触，上述漏极电极与上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域接触，
上述多个第1TFT和上述多个第2TFT的上述氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，
上述多个第1TFT的上述沟道区域中的载流子浓度比上述多个第2TFT的上述沟道区域中的载流子浓度高，
上述无机绝缘层包含：氧化硅层，其与上述多个第1TFT和上述多个第2TFT的上述沟道区域接触；以及氢供应层，其配置在上述氧化硅层上，
上述氢供应层配置在上述氧化硅层中的位于上述多个第1TFT之上的第1部分上，并且未配置在上述氧化硅层中的位于上述多个第2TFT之上的第2部分上，或者在上述第1部分上比在上述第2部分上厚。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，
上述氢供应层是氮化硅层。
6.根据权利要求4或5所述的有源矩阵基板，
上述多个第1TFT的上述沟道区域中的载流子浓度为1×1017/cm3以上1×1019/cm3以下。
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